芯原“一种多用途芯片静电保护方法”专利获授权

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集微网消息,国家知识产权局消息显示,芯原“一种多用途芯片静电保护方法”专利获授权,授权公告日为6月11日。

图片来源:国知局

专利摘要显示,本方法包括:将闲置I/O分布于各种封装的有效I/O中,通过系统设置所述闲置I/O为三态I/O,将所述三态I/O与所述有效I/O一起封装以提高所述有效I/O的静电保护能力,其中,所述有效I/O包括有效I/O引脚、有效电源引脚及有效地引脚。

本发明的多用途芯片静电保护方法有效利用了多用途芯片中的闲置I/O,将闲置I/O设置为静电保护电路,并与有效I/O一起封装,提高了芯片的电流保护能力,同时减少漏电、不增大芯片面积。(校对/小北)

责编: 赵碧莹
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