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集微网消息，11月3日，2020年度国家科学技术奖励大会在人民大会堂举行。2020年度国家科学技术奖共评选出264个项目、10名科技专家和1个国际组织。
其中，半导体领域“斩获颇丰”，将国家科学技术进步奖一等奖、国家科学技术进步奖二等奖、国家技术发明奖二等奖等奖项收入囊中。以下是部分获奖项目：
国家科学技术进步奖一等奖
“高密度高可靠电子封装关键技术及成套工艺”项目获2020年度国家科学技术进步奖一等奖。项目经工业和信息化部提名，主要完成单位为：华中科技大学，华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，中国科学院上海微系统与信息技术研究所，江苏长电科技股份有限公司，通富微电子股份有限公司，华天科技（昆山）电子有限公司，苏州旭创科技有限公司，中国电子科技集团公司第五十八研究所，香港应用科技研究院有限公司，武汉大学。
华中科技大学消息显示，项目团队针对高密度芯片封装翘曲和异质界面开裂导致的低成品率，提出芯片-封装结构及工艺多场多尺度协同设计方法和系列验证方法，应用于5G通讯等领域自主可控芯片的研制，攻克了晶圆级扇出封装新工艺，突破了7nm CPU芯片封装核心技术。项目解决了电子封装行业知识产权“空心化”和“卡脖子”难题，占领了行业技术制高点，实现了高密度高可靠电子封装从无到有、由传统封装向先进封装的转变，具备国际竞争能力。此外，项目完成单位与国内企业合作研制了系列封装及检测设备，建立了多条封装柔性产线；300多类产品覆盖通讯、汽车、国防等12个行业。
南通发布消息显示，作为项目完成单位之一的通富微电，一直致力于集成电路封装技术研发，此次获奖项目内容之一是针对高密度芯片封装工艺中焊点易桥连和界面易损伤难题，提出倒装铜柱凸点高密度键合技术，发明原位微米级栅线投影翘曲测试方法，研制基材与布线密度匹配、磁性载具与回流曲线优化的低应力倒装焊接工艺，产品成品率达 99.8%。
华进半导体消息显示，作为第二完成单位，其通过对光、电、热、应力等多物理场参量建模以及测试技术的研究，掌握和具备了设计仿真、工艺制备、测试验证等关键技术，并搭建了从研发到量产的中试平台，特别对非气密光电异质集成封装、射频微波组件、多芯片混合三维集成等高性能产品应用方面有贡献。
国家技术发明奖二等奖
“平板显示用高性能ITO靶材关键技术及工程化”项目获得2020年度国家技术发明奖二等奖。项目经中国有色金属工业协会提名，主要完成人为：何季麟（郑州大学）、钟景明（西北稀有金属材料研究院宁夏有限公司）、张科（福建阿石创新材料股份有限公司）、薛建设（西北稀有金属材料研究院宁夏有限公司）、孙本双（郑州大学）、舒永春（郑州大学）。
郑州大学消息显示，项目主持人何季麟院士带领团队面向国家战略需要，聚焦战略新兴平板显示器用关键基础材料研究，创新发明了ITO靶材粉体制备、素坯注浆成形、无压氧气氛烧结与靶坯绑定——关键技术体系，建立了ITO靶材制备新型工艺流程，形成了完善的全流程工艺装备体系及控制标准，实现了ITO靶材粉末冶金技术的创新应用，其技术指标达到了国际先进水平。
该项目产品在国内首次成功应用于世界最大面板企业京东方的高世代TFT线，打破了国外技术壁垒，完全可以替代进口，推进了我国战略新兴显示产业用关键基材的国产化进程。在研发过程中，还建立了高水平靶材研发平台与团队，为行业培养了一批领军与骨干人才。这些都为靶材料“中国制造”到“中国创造”做出了示范引领性贡献。
此前，该项目荣获2019年度中国有色金属工业科学技术一等奖。
“高压智能功率驱动芯片设计及制备的关键技术与应用”项目获2020年度国家技术发明奖二等奖。项目经教育部提名，主要完成人为：孙伟锋（东南大学）、刘斯扬（东南大学）、祝靖（东南大学）、苏巍（无锡华润上华科技有限公司）、易扬波（无锡芯朋微电子股份有限公司）、朱袁正（无锡新洁能股份有限公司）。
东南大学消息显示，项目由该校电子科学与工程学院孙伟锋教授牵头，致力于解决高压智能功率驱动芯片设计与制备的核心技术难题。据悉，项目组与华润上华科技、芯朋微电子和新洁能长期深度合作，开展关键核心技术攻关，在浮置衬底高低压兼容技术、低损耗功率器件技术、抗瞬时电冲击智能电路技术和高功率密度集成互联技术等4方面取得系列创新发明，构建了高压智能功率驱动芯片设计与制备的技术体系，设计并制备了80余款高压智能功率驱动芯片，被100余家国内外公司采用。
目前研制的芯片已应用于“世界首条350 公里时速智能高铁—京张高铁”空调系统，并广泛应用于新一代智能电表，在工业智能电表领域市场占有率超过70%。芯片的失效率低于十万分之一，在智能生活家电领域累计销售超16亿颗，市场占有率全国第一。
“超高纯铝钛铜钽金属溅射靶材制备技术及应用”项目获2020年度国家技术发明奖二等奖。项目经宁波市提名，主要完成人为：姚力军（宁波江丰电子材料股份有限公司）、刘庆（重庆大学）、王学泽（宁波江丰电子材料股份有限公司）、周友平（宁波江丰电子材料股份有限公司）、袁海军（宁波江丰电子材料股份有限公司）、边逸军（宁波江丰电子材料股份有限公司）。
江丰电子消息显示，作为项目第一完成单位，企业长期聚焦超大规模集成电路战略性原材料及溅射靶材制造领域，姚力军带领技术团队攻克从金属材料提纯与制备、微观结构控制、异种金属大面积焊接、精密机械加工和表面处理、清洗封装、评价检测的完整的靶材成套制备技术，建立起拥有完整自主知识产权、基于国产设备的生产基地，实现了超高纯铝、钛、钽、铜等全系列先端靶材的产业化，在全球先进制程5nm技术节点实现量产，市场份额位居全球第二，彻底改变我国溅射靶材长期依赖进口的局面。
重庆大学消息显示，该校教授刘庆作为项目首席科学家，对超高纯铝、铜、钽材料的变形机理和再结晶行为进行了系统的研究，为靶材的塑性变形及热处理工艺制定提供了理论支撑，实现超高纯金属溅射靶材晶粒尺寸及织构控制技术的突破。建立了超高纯铝、铜、钽材料内部组织结构的评价分析体系，确保了溅射靶材批量制造过程中品质的稳定和一致。
国家科学技术进步奖二等奖
“固态存储控制器芯片关键技术及产业化”项目获2020年度国家科学技术进步奖二等奖。项目经浙江省提名，主要完成单位为：杭州电子科技大学，杭州华澜微电子股份有限公司，中国电子科技集团公司第五十八研究所，清华大学，西安奇维科技有限公司，西京学院。
杭州电子科技大学消息显示，项目组从2005年开始，对固态存储控制器关键技术逐一深入研究和试验，研制成功我国第一颗固态硬盘控制器芯片，并进一步实现了系列固态存储产品的国产化。团队解决了高速计算机接口核心技术的国产化问题；突破了固态硬盘容量的瓶颈、达到业内最高容量；提出高速、无损的物理层数据加密关键技术，为我国的信息安全提供了芯片级安全保障。中央电视台《中国新闻》报道“这是我国硬盘产业的重大突破”。该成果产业化单位-杭州华澜微电子现已成长为数据存储领域的隐形冠军企业。
据了解，2011年，曾师从中国半导体著名专家邓先灿的骆建军带领团队回到杭州，创建杭州华澜微电子股份有限公司，专注于研发数据存储和信息安全领域的集成电路芯片。本次获奖团队的核心成员除了骆建军之外，樊凌雁、楼向雄都是邓先灿的学生。
此外，教育部提名的“特种光电器件的超快激光微纳制备基础研究”项目、中国科学院提名的“深度学习处理器体系结构新范式”项目均获得2020年度国家自然科学奖二等奖。
（校对/小北）
