HBM产业观察:三星“两意”,霸主低眉

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三星正为过去低估高频宽存储器(HBM)市场潜力而焦虑。

有知情人士透露,三星自去年起一直想通过英伟达(Nvidia)对其HBM3、HBM3E的测试,但最近因发热和功耗问题尚未能通过,仍需进一步验证。三星驳斥了这一说法,称“正与全球各合作伙伴顺利进行HBM供应测试”,并正在努力提高所有产品的质量和可靠性

另一方面,三星电子芯片部门主管庆桂显(Kyung Kye-hyun)日前被撤换,三星意在“通过重塑内部和外部氛围增强未来竞争力”,这一职务的接任者是现年63岁的全永铉(Jun Young-hyun),曾因扭亏为盈的战绩被媒体称为“后援投手”。由于三星通常在年底调整管理层,因此这一人事变动多少有些耐人寻味。

以上两点,触发业界对三星HBM开发不顺的担忧。另据DigiTimes报道,三星HBM3E未通过英伟达测试的原因,是台积电(TSMC)审批环节出了问题。过去数十年中,三星与台积电是晶圆代工领域激烈厮杀的竞争者。但在英伟达主导的HBM世界里,“昔日霸主”三星不得不寻求与台积电的合作——作为英伟达GPU芯片的制造和封装厂,台积电在英伟达验证环节中具有较高话语权,其采用基于SK海力士HBM3E产品设定的检测标准,这或许对三星提供的产品参数产生影响。

在HBM技术路线上,SK海力士采用MR-MUF技术,三星则基于热压非导电薄膜(TC-NCF)技术,使用热压缩薄膜可以最大限度地减少堆叠芯片之间的空间,但随着层数不断增加,出现与粘合剂材料相关的问题。

有知情人士在3月指出,三星已发出用于处理MUF技术的芯片制造设备的采购订单,“三星必须采取措施提高HBM产量……采用MUF技术对三星来说有点忍气吞声,因为它最终沿用SK海力士最先使用的技术。”这一说法同样遭到三星否认,其坚持NCF技术是HBM产品的“最佳解决方案”。

一切变得紧迫起来。英伟达在全球AI应用GPU的市占率大约80%,满足它的需求被视为HBM供应商未来成长的关键。去年开始,SK海力士和美光向英伟达提供8层垂直堆叠的HBM3E(24GB)样品,并在今年初通过英伟达验证而获得订单。最迟去年10月,三星也已经就HBM产品技术验证与英伟达合作,迄今已超半年。如果此次测试结果不顺,恐进一步迟滞三星HBM产品出货节点,拖累市占率。

数据显示,SK海力士已获得五成市占率,其次是占四成的三星和占一成的美光。美光、三星在HBM竞争中的不利局面,在5年前,甚至更早就已埋下伏笔,前者“压错宝”,后者“走错路”。

2011年9月,美光与英特尔合作开发的HMC(Hybrid Memory Cube,混合内存立方体)发布,致力于解决DDR3所面临的带宽问题,但由于种种原因被迫搁浅;至于三星,2019年因误判市场前景而解散其HBM团队,在此后的竞逐中失去先机。三星电子半导体部门员工一度发出“SK海力士分包商”的自嘲——由于SK海力士已成为HBM市场的全球主力供应商,三星被迫接受SK海力士外溢的订单。

就眼下时局而言,美光尚可在HBM的竞争中闲庭信步,其受美国地缘优势影响,美国本土科技巨头或加大采购力度,助力其市场份额的提升。但三星面临竞争对手的强势,以及重回存储王座的压力,必须加快现有HBM产品出货,以及下一代HBM的研发。

三星能否顺利通过英伟达测试?此前,业界一度传出“英伟达故意煽动三星、SK海力士彼此竞争,顺势压低HBM价格”的消息,从侧面反映英伟达有意培养更多HBM供应商的考虑,因此三星通过测试并不成为问题。但三星会否改弦易辙采用MUF技术,或同时引入NCF和MUF,甚至通过调整人事推出强人“翻盘”,有待进一步观察。

但时间很紧张。毕竟HBM3E只是腋肘之患,2025年前后的HBM4才是生死局。

责编: 张轶群
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