英伟达积极采用高容量HBM，强化自家AI芯片，并选定SK海力士、三星与美光作为三家合作伙伴；美光 (MU-US) 6月5日表示，目前正积极强化技术并同步扩充产能，预期到 2025 历年， HBM 市占率能与 DRAM 市占率相当，约 20-25%。
针对HBM产能布局，美光指出，公司产能布局全球，日本广岛也是考虑扩充地点之一，目前HBM3e进展顺利，预期未来将贡献一定获利，市占率也会跟现有市占率差不多，强调客户对公司的HBM3、HBM3e都很有兴趣。
美光也说，公司也正着手开发HBM4，会考虑采用包括混合键合(Hybrid Bonding) 在内等相关技术，目前一切都在研究中，也补充自家HBM3e会成功是因为公司具备先进封装、设计的能力，并整合自家制程，让产品进入市场的时程能够维持领先地位。
另外，美光今日也宣布推出基于1β (1-beta) 制程的GDDR7图形存储芯片，技术从PAM4 转换成PAM3，打造最高速度达每秒32 Gb，同时其系统频宽提升至1.5 TB/s 以上，频宽相较前一代GDDR6高出60%，并拥有四个独立通道，提供最佳化工作负载与更快的回应速度、更流畅的游戏体验并显著缩短处理时间。
美光看好，相比前一代GDDR6，GDDR7的能源效率提升超过50%，有效改善散热问题并延长电池寿命，新的睡眠模式可降低系统待机功耗最高达70%，高可靠性、可用性和可维护性(RAS) 功能可在不影响记忆体效能的情境下增强装置可靠性和资料完整性，进一步将美光GDDR7应用范围扩至AI、游戏和高效能运算工作负载。
