摩根士丹利:DRAM将迎供需失衡“超级周期”,明年标准型DRAM供应缺口高达23%

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6月12日消息,摩根士丹利在新一期报告中指出,存储将出现“前所未有”的供需失衡,内存的价格也水涨船高。人工智能的快速发展将导致DRAM和HBM的供需失衡。

摩根士丹利指出,由于近年来DRAM厂新增产能有限,叠加HBM消耗大量产能,DRAM正迎来前所未有的供需失衡“超级周期”,明年标准型DRAM供应缺口高达23%,将比HBM更缺,为近年罕见,价格将一路上涨。大摩调升今年第三季DRAM和NAND芯片价格涨幅预估,由原预期8%和10%,上调至13%和20%,调升幅度高达六成以上。

摩根士丹利预计,到2025年,HBM市场份额占比将增长,整体市场供应不足将更明显:预计到2025年,HBM总可寻址市场(TAM)预计将显著增长,从2025年的370亿美元增长到2027年的700亿美元,市场份额将占整个DRAM市场的30%以上,混合价格将上涨10%以上。(校对/赵碧莹)

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