Tower Semiconductor将在日本投资30亿美元,扩大硅光子和硅锗芯片生产

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以色列芯片制造商Tower Semiconductor宣布,将投资30亿美元以加强在日本的芯片制造业务,其中包括日本政府提供的10亿美元资助。

消息公布后,该公司在美国上市的股票在盘前交易中上涨超过18%,预计此举将有助于满足不断增长的人工智能和数据中心需求。

此举旨在帮助该公司推进硅光子技术(利用光在人工智能芯片之间更快地传输数据)和硅锗技术(可制造速度更快、能效更高的半导体器件)的生产。

此次扩建将分两个阶段进行。第一阶段是将Tower位于日本新井的工厂(原Fab 6)改造为300毫米硅光子器件生产线,预计将于2027年第四季度全面投产。

Tower表示,在完成这一初期产能扩张后,预计其2028年营收将达到36亿美元,净利润将达到12亿美元,高于此前预期的28亿美元营收和7.5亿美元净利润。

Tower表示,第二阶段将与第一阶段同步启动,在公司现有的Fab 7工厂旁新建一座300毫米光子器件生产线。

Tower首席执行官Russell Ellwanger表示:“我们预计第二阶段将为公司在2028年以后的持续增长奠定基础。”(校对/赵月)

责编: 李梅
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