1月22日,佰维存储披露最新调研纪要称,公司高度重视技术研发创新,近期成功研发并发布了支持 CXL2.0 规范的 CXL DRAM 内存扩展模块,兼具支持内存容量和带宽扩展、内存池化共享、高带宽、低延迟、高可靠性等特点,赋能 AI 高性能计算。此外,在 IC 芯片方面,公司第一颗主控芯片研发进展顺利,已经回片点亮,正在进行量产准备。
在先进封装技术方面,佰维存储掌握 16 层叠 Die、30~40μm 超薄 Die、多芯片异构集成等先进封装工艺,为 NAND Flash 芯片、DRAM 芯片和 SiP 封装芯片的大规模量产提供支持。
佰维存储称,公司拟定增募资建设的晶圆级先进封测项目可以构建HBM实现的封装技术基础,公司将通过晶圆级先进封测制造项目构建晶圆级封测能力,具备存储器和逻辑IC封测能力,有利于公司把握大湾区半导体产业链发展机遇,并探索存储 IC与计算IC的整合封装能力。
关于公司智能穿戴产品客户合作情况,佰维存储表示,公司是 Meta 最新款 AI 智能眼镜 Ray-Ban Meta 的存储器芯片供应商,除此之外,公司智能穿戴存储产品还进入了 Google、小天才等知名品牌的智能穿戴设备供应体系。