中芯国际“半导体结构及其形成方法”专利公布

集微网消息，天眼查显示，中芯国际集成电路制造(上海)有限公司“半导体结构及其形成方法”专利公布，申请公布日为2024年3月8日，申请公布号为CN117672862A。

一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供基底，所述基底包括：衬底；鳍部；至少一组包括牺牲层和沟道层的堆叠结构；位于所述鳍部露出的所述衬底上的隔离层，所述牺牲层的材料与所述隔离层的材料相同；在所述隔离层上形成保护层；形成所述保护层之后，形成包围所述沟道层的栅极结构和位于栅极结构两侧的源漏区。所述牺牲层的材料设置为所述隔离层相同的材料，所述牺牲层和所述沟道层的刻蚀选择比较大，能够有效避免牺牲层残留；形成保护层之后形成所述栅极结构，能够有效避免所述隔离层受损。