单芯片、高像素!晶合集成5000万像素BSI量产

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继90纳米CIS和55纳米堆栈式CIS实现量产之后,晶合集成(688249.SH)CIS再添新产品。近期,晶合集成55纳米单芯片、高像素背照式图像传感器(BSI)迎来批量量产,极大赋能智能手机的不同应用场景,实现由中低端向中高端应用跨越式迈进。晶合集成规划CIS产能将在今年内迎来倍速增长,出货量占比将显著提升, 成为显示驱动芯片之外的第二大产品主轴。

近年来,5000万像素CIS已在智能手机配置上加速渗透。晶合集成与国内设计公司合作,基于自主研发的55纳米工艺平台,使用背照式工艺技术复合式金属栅栏,不仅提升了产品进光量,还兼具高动态范围、超低噪声、PDAF相位检测对焦等优势。此外,该技术采用单芯片技术架构,既减少芯片用量,也缩短了芯片生产周期,同时将像素规格微缩20%,像素尺寸达到0.702μm,整体像素提高至5000万水准,将广泛应用在智能手机主摄、辅摄及前摄镜头等。

一份耕耘,一份收获。晶合集成在铢积寸累中,紧随产业发展变革机遇,足履实地迈好每一步,为国内集成电路产业长远发展添砖加瓦。

责编: 爱集微
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