武汉新芯“图像传感器及其制作方法”专利获授权

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天眼查显示,武汉新芯集成电路制造有限公司近日取得一项名为“图像传感器及其制作方法”的专利,授权公告号为CN112397539B,授权公告日为2024年4月16日,申请日为2020年11月13日。


本发明提供的图像传感器及其制作方法,包括:提供一衬底,衬底上分布有若干像素单元,像素单元位于衬底内的第一类型阱区中;刻蚀衬底,形成位于相邻的所述像素单元之间的隔离沟槽;对隔离沟槽的周圈衬底进行第二类型的离子注入,第二类型的离子与第一类型阱区中的离子形成PN结;隔离层填充隔离沟槽。像素单元之间的隔离将深沟槽隔离(DTI)与离子注入形成PN结隔离相结合,在隔离沟槽的周圈衬底内形成PN结,阻挡隔离沟槽附近因缺陷产生的载流子自由进入读取区和感光区,减小暗电流的同时具有良好的电性和光学隔离效果,并且减小了隔离区的面积,提高了图像传感器的芯片面积利用率。


责编: 赵碧莹
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