直击北京车展 碳化硅上车蔚然成风,芯联集成带你认识它的能量

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4月25日,以“新时代 新汽车”为主题的2024北京车展拉开帷幕,“新能源汽车”成最大亮点。来自北京车展主办方的信息显示,此次参展的新能源车型多达278个,其中,800V高压平台上车成为今年车展的一大看点,搭载800V架构的全新问界M5、享界S9、蔚来乐道L60、极氪MIX、星途星纪元ET等车型纷纷亮相。

2023年以来,众多车企在新能源汽车的续航里程与补能速度上发力,800V车型由此接踵落地,这进一步加速碳化硅规模上车。800V系统平台搭载碳化硅,能有效缓解续航和补能焦虑,因此两者被称为“绝配CP”。

图注:芯联集成6英寸碳化硅平面MOS芯片

主要用于新能源汽车主驱逆变器

作为稀缺的一站式芯片系统代工解决方案供应商,2023年,芯联集成6英寸碳化硅晶圆厂出货规模已超过月产5000片,且出货量位列中国SiC MOS规模量产出货第一名。芯联集成自去年开始量产平面SiC MOS以来,实现了90%的产品应用于新能源汽车主驱逆变器。

碳化硅上车,带来整车效率质的飞跃

随着新能源汽车市场发展的高歌猛进,整车厂都希望提高车辆的表现力,包括更快的充电时间、更持久的续航里程,以及优质的驾乘体验等等,以获得更多市场竞争力,而碳化硅的存在就尤为重要。

碳化硅应用于新能源汽车内部的关键电力系统,包括主驱逆变器、车载充电器(OBC)和DC-DC转换器。与传统硅基器件相比,作为第三代半导体技术,碳化硅因其耐高压、高开关频率、耐高温和低导通损耗等特点,可实现更高的系统效率、更低的损耗和空间小型化,因此在电能转换中得到大规模应用。

芯联集成具备碳化硅产品全栈能力,性能比肩国际先进水平

当下,在碳化硅芯片集中上量的主驱逆变器应用领域,芯联集成已把握先机,成功跻身于国内头部阵营。

技术不断创新,产品快速迭代是芯联集成在短时间内取得市场突破的最大驱动力。从启动碳化硅产线预研,到大批量出货,芯联集成用了三年时间,迭代了三代SiC MOS产品,最新第三代1200V SiC MOS 已于2023年底在汽车主驱应用量产,具备国际领先的芯片能力。

特别值得一提的是,在备受碳化硅需求应用端关注而又为之苦恼的良率方面,芯联集成第三代1200V SiC MOS达到业界领先的水平。

同时,在影响碳化硅器件性能、故障率和寿命的温度方面,芯联集成第三代1200V SiC MOS支持200℃的工作结温,而且具有更好的高温性能:

● 25℃Rdson @13mohm

● 150℃Rdson@19.2mohm

● 175℃Rdson@21.5mohm

除了这些优势,芯联集成第三代1200V SiC MOS还支持门极负压关断(推荐门极工作电压-5V/18V),且已通过AQG-324可靠性验证标准,以及加严的DGS、DRB (动态HTGB、动态HTRB)可靠性验证。

及时响应整车厂对于碳化硅的应用需求,芯联集成不仅能提供碳化硅芯片代工,同时具备了从设计、制造到封装、测试的全栈能力,公司可提供包含设计服务、晶圆制造、模组封装、应用验证、可靠性测试的一站式芯片及系统代工解决方案,能灵活满足不同整车厂的需求。

芯联集成生产的车载SiC模块,采用高性能的平面栅形SiC MOSFET芯片的灌封和塑封封装技术,产品覆盖750V-1200V全系列,可以分别满足400V和800V车载系统的需求,产品规格如下图,性能比肩国际碳化硅厂商水平。

图注:芯联集成碳化硅模块系列产品

图注:芯联集成单面散热塑封全桥SiC模块,主要用于新能源汽车主驱逆变器等

长板优势已显,未来更为可期。芯联集成的国内首条8英寸晶圆研发线将于2024年底通线,届时8英寸晶圆带来的成本与产能优势,将更好地满足车企对“增效降本”的追求。

责编: 爱集微
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