传英特尔包揽ASML High-NA EUV初期产能 单台成本超26亿元

据Theelec报道，ASML截至2025上半年的高数值孔径EUV（High-NA EUV）设备订单由英特尔全部包揽，因此三星和SK海力士2025下半年后才能获得设备。

消息人士称，ASML的高数值孔径EUV设备产能每年约为五至六台，这意味着英特尔将获得所有初始产能。他们还表示，英特尔在宣布重新进入芯片代工业务时抢先购买了这些设备。

ASML的高数值孔径EUV设备是芯片制造商制造2nm工艺节点芯片的必备设备，每台设备的成本超过5000亿韩元（当前约26.47亿元人民币）。

NA代表数值孔径，表示光学系统收集和聚焦光线的能力。数值越高，聚光能力越好，高数值孔径EUV设备的数值孔径从0.33提高到0.55。这意味着设备可以绘制更精细的电路图案。

自2017年ASML的第一台量产的EUV光刻机正式推出以来，三星的7nm、5nm、3nm工艺，台积电的第二代7nm、5nm、3nm工艺的量产都是依赖于0.33数值孔径的EUV光刻机来进行生产。随着三星、台积电、英特尔3nm制程的相继量产，目前这三大先进制程制造厂商都在积极投资2nm制程的研发，以满足未来高性能计算（HPC）等先进芯片需求，并在晶圆代工市场的竞争当中取得优势。

为了赢得客户，英特尔比竞争对手更快地采用高数值孔径EUV。该公司于2021年重新进入代工市场，但去年该业务亏损70亿美元。

（校对/孙乐）