（文/罗叶馨梅）12月1日，据韩媒《朝鲜日报》报道，SK海力士明年在积极扩产HBM内存的同时，也将全力扩充非HBM通用DRAM内存的产能，并计划充分利用现有晶圆厂空间，以应对未来内存需求的持续增长。
报道称，SK海力士新增的HBM DRAM产能主要集中在本季度竣工投产的清州M15X晶圆厂，而通用DRAM的新产能则将来自公司现有工厂，包括清州M8、利川M10、利川M14和利川M16等生产基地。通过对现有产线进行调整和优化，公司希望在不大幅新增资本开支的前提下，实现整体产能结构的再平衡。
在这四座晶圆厂中，清州M8和利川M10属于相对老旧的厂区，SK海力士计划最大限度利用其空间，同时对利川M14进行制程升级改造，并启用利川M16的剩余产能。业内认为，这一策略有助于在维持HBM高增长的同时，保证通用DRAM在PC、服务器及移动设备等传统市场的稳定供给。
韩媒预计，SK海力士的通用DRAM产能在2026年有望扩大至每月7万片晶圆，部分业内消息人士则认为，通过进一步扩产，公司有机会提前实现月投片量达到10万片的中期目标。在AI相关应用带动整体存储需求上行的背景下，公司正试图在高附加值HBM与通用DRAM之间寻找新的产能平衡点。
公开资料显示，近年来SK海力士在HBM等高带宽存储领域持续加大投入，在AI服务器和高性能计算市场的份额快速提升，但同时仍需兼顾传统DRAM业务，以维护与PC、移动及部分企业级客户的长期合作关系。通过充分利用老旧厂房与升级产线，公司有望提升整体产能灵活性和成本效率。
分析人士指出，本轮扩产计划反映出存储厂商在AI时代的产能布局思路，既要抓住HBM带来的结构性机遇，又需防范单一产品线波动带来的经营风险。未来SK海力士通用DRAM扩产节奏仍将受到全球终端需求、价格周期以及竞争对手策略等多重因素影响，相关产能释放与盈利表现仍存在不确定性，市场参与者需保持审慎判断。
（校对/秋贤）
