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上周，三星2026年盈利或破百万亿韩元大关；默克高雄AI芯片材料厂将于2026年量产；日月光投控斥资9亿扩产先进封装，抢攻AI市场；日本Rapidus计划2027年建设1.4nm晶圆厂；英特尔大涨超8%，传将替苹果代工M系列芯片；三星电子新设立存储器半导体开发事业部；鸿海获准在美国威斯康星州追加投资5.69亿美元；传铠侠、闪迪考虑在美合作建设NAND晶圆厂。
财报与业绩
1.三星2026年盈利或破百万亿韩元大关——据韩国Kiwoon证券的一位资深研究员估计，三星电子明年的运营利润有望达到90-100万亿韩元（约合620亿至690亿美元）。扩大HBM4市场份额、提高NAND和DRAM的盈利能力，以及满足客户对2纳米GAA晶圆的需求，是三星实现明年创纪录运营利润的几大途径。Kiwoon证券的资深研究员Park Yoo-ak对三星在2026年登顶的预测最为乐观，他预计公司明年将实现100万亿韩元的运营利润。据报道，Park Yoo-ak的预测基于HBM4市场份额的显著增长，以及通用DRAM价格56%的飙升。此外，由于NAND闪存价格的上涨，三星预计将迎来其收入的显著提升。
投资与扩产
1.默克高雄AI芯片材料厂将于2026年量产——德国公司默克电子表示，其位于中国台湾南部高雄市、价值5亿欧元（约合5.79亿美元）的化工厂已启动认证流程，这是该工厂开始大规模生产用于制造人工智能（AI）芯片的材料前的最后一步。默克电子业务CEO兼执行董事会副主席Kai Beckmann表示：“新工厂是我们全球最大的半导体材料生产基地，也是我们电子业务最大的生产基地。”该工厂位于高雄，占地约15万平方米，主要生产用于先进芯片制造的高精度层叠、蚀刻和图案化工艺的薄膜、配方材料和特种气体。该工厂计划在完成认证流程后于2026年开始大规模生产。
2.日月光投控斥资9亿扩产先进封装，抢攻AI市场——全球封测龙头日月光投控近日加速布局高阶封装测试产能。11月24日，日月光宣布，子公司日月光半导体董事会通过两项重大不动产与扩厂决议。首先，以9.6亿元人民币向关系企业宏璟建设购入位于桃园市中坜区的中坜第二园区新建厂房主要产权。其次，双方将合作开发高雄楠梓科技产业园区第三园区第一期厂房。此次扩产布局旨在应对AI带动晶片应用强劲增长及客户对先进封装测试产能的迫切需求。
3.日本Rapidus计划2027年建设1.4nm晶圆厂——Rapidus致力于将尖端半导体的生产带回日本，计划于2027财年启动第二座工厂的建设。该工厂计划最早于2029年开始生产1.4nm芯片，这是目前世界上最先进的芯片之一，这将缩小与全球最大芯片代工厂台积电（TSMC）的差距。
该项目预计耗资数万亿日元。日本政府将向该公司投资数千亿日元，其中一部分将用于研发。该项目有望成为振兴日本芯片产业的关键一步。
市场与舆情
1.英特尔大涨超8%，传将替苹果代工M系列芯片——据报导，英特尔股价周二大涨8.6%，因天风国际分析师郭明錤周五在某平台上表示，英特尔最快将于2027年初开始替苹果生产MacBook Air与iPad Pro所使用的M系列芯片。若此消息属实，将代表市场对英特尔投下极大的信任票。英特尔的第三方芯片代工业务近年一直难以争取客户，该部门上季营收仅42亿美元，相比之下，英特尔自家产品业务营收达127亿美元，代工部门主要仍靠生产自家芯片支撑。郭明錤指出，即便这次合作尚不足以让英特尔挑战目前仍替苹果生产芯片的台积电，但至少证明英特尔具备为大型客户代工的能力。
2.三星电子新设立存储器半导体开发事业部——三星电子在其设备解决方案（DS）部门内新成立了一个组织，负责监督包括DRAM和NAND闪存在内的存储半导体的整体开发。据报道，三星电子近日举行了一次高管简报会，宣布进行组织结构调整，在DS事业部的存储器业务部门内设立“存储器半导体开发事业部”，负责存储器半导体的开发。DRAM开发团队负责人（执行副总裁）Hwang Sang-jun将领导该组织。此举旨在通过整合组织运营，提升HBM、DRAM和NAND闪存的存储半导体解决方案和封装能力。
3.鸿海获准在美国威斯康星州追加投资5.69亿美元——11月26日，鸿海表示，已获得监管部门批准，将在美国威斯康星州追加投资5.69亿美元。近日鸿海董事长刘扬伟在接受采访时表示，公司未来每年将向AI相关领域投入20亿至30亿美元。他透露，未来三至五年用于AI基础建设与技术开发的资金，将占鸿海每年约50亿美元资本支出的一半以上，显示公司正将资本开支重点加速向AI产业链倾斜。刘扬伟指出，上述投入将主要用于数据中心基础设施、AI服务器平台、网络设备以及相关技术研发，包括服务器系统设计、散热与能效优化等关键环节。
技术与合作
1.MediaTek发布天玑9500——2025年9月22日-MediaTek发布天玑9500旗舰 5G 智能体AI芯片，作为迄今为止天玑最强大的移动芯片，其凝聚了MediaTek诸多里程碑式的先进技术和突破性创新。天玑 9500 采用业界先进的第三代 3纳米制程，集成了强力焕新的全大核 CPU、GPU、NPU、ISP图像处理器等高算力单元，在端侧 AI、专业影像、主机级游戏体验以及网络通信等方面开启领航未来的全面跃升。
2.三星HBM4芯片冲刺英伟达认证，12月见分晓——三星电子与英伟达合作的HBM4内存芯片认证测试已接近尾声，预计12月公布的结果将标志着该公司近年来在高端内存市场取得最重大的复苏之一。与此同时，还有报道称，三星已对其内存研发部门进行重组，以稳定HBM的生产。报道称，三星的HBM4评估已进入最后阶段，最早可能于2025年12月完成。行业分析师表示，预计12月初公布的最终结果可能会重新平衡HBM市场格局。如果认证成功，三星的样品出货速度将加快，客户群体也将更加多元化，市场结构将转向更加均衡的两家供应商格局。
3.传铠侠、闪迪考虑在美合作建设NAND晶圆厂——11 月28日消息，据报道称，KIOXIA铠侠、Sandisk闪迪考虑在美国合作建设NAND晶圆厂，这一计划预计将得到日美两国政府的支持。铠侠-闪迪联盟目前的NAND晶圆厂位于日本四日市和北上市。而整体看来全球NAND闪存产能也集中东亚地区，三星电子、SK 海力士、美光这三大原厂的在美建设计划也均不涉及NAND业务。参考IT之家以往报道，闪迪曾考虑在美国密歇根州建设大型晶圆厂，近来又有其计划利用力积电场地的风声传出，显示在这一联盟内部至少闪迪有着很强的扩产意愿。
