近日，被誉为“芯片奥林匹克”的IEEE国际固态电路会议（ISSCC）2026中国区发布会成功召开，会上揭晓了最新一届会议的论文录用结果，并分享了全球芯片领域的前沿动态。
本届ISSCC收到全球共1025篇投稿论文，最终仅有257篇论文入选，每篇论文都代表着当前芯片领域最前沿的研究成果。华中科技大学在本届ISSCC实现了历史性突破——首次以第一作者单位获得论文录取，成果来自集成电路学院毕晓君教授团队。
被录取成果的具体信息：
毕晓君教授团队的论文 “A 2×500 Gb/s Monolithic Silicon-Photonic DWDM PAM-4 Transceiver in 45nm CMOS SOI ”，共同第一作者为我院博士研究生徐子昂、林亚龙、金锦玄、叶镇恺。
论文展示的成果聚焦于高速收发机电芯片设计，面向芯片间互连光接口（OIO）应用，创新性地提出了集成带宽拓展通道和在片波长锁定单元的密集波分复用（DWDM）收发机结构，包括：PAM-4跨阻放大器、驱动放大器、波长锁定回路等子单元。基于45 nm CMOS SOI光电全集成加工工艺，芯片实现了单片1 Tbps的传输速率。对比同行已发表的光电融合集成收发机芯片工作，取得显著提升的单通道速率及高能效。
本工作所对应的光验证芯片设计由华中科技大学光电学院张敏明教授团队负责，湖北九峰山实验室在芯片测试上提供了大力支持。
