2025年12月20日，由半导体投资联盟和集成电路投资创新联盟主办、ICT知识产权发展联盟协办、爱集微承办的“2026半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼”在上海隆重举行。芯联集成电路制造股份有限公司（以下简称：芯联集成）凭借其在碳化硅（SiC）制造技术领域取得的重大突破，以及对AI（人工智能）数据中心电源体系带来的实质性变革，荣获“年度AI技术突破奖”。
芯联集成成立于2018年，总部位于浙江省绍兴市，是国内领先的一站式芯片系统代工企业。公司具备车规级IGBT/SiC芯片及模组、数模混合高压模拟芯片的研发与量产能力，是国内重要的车规级与高端工业控制芯片制造基地，同时也是国内规模和技术水平均处于领先地位的MEMS晶圆代工厂。围绕AI、汽车、新能源、工业控制、家电等关键领域，芯联集成为客户提供涵盖功率器件、模拟芯片、MCU、传感器及数模混合芯片的一站式制造解决方案。2024年，公司实现销售额65.09亿元，产业规模与技术实力持续提升。
此次获奖的核心基础，源于芯联集成在面向AI数据中心应用的宽禁带半导体制造领域实现的关键技术突破——达到国际先进水平的“碳化硅G2.0技术平台”。该平台采用先进的8英寸制造技术，通过器件结构与工艺制程的协同优化，在效率、功率密度与可靠性等关键指标上实现系统性提升，全面覆盖电驱与电源两大核心应用方向。
针对AI数据中心这一高增长、高可靠性要求的核心应用场景，芯联集成对碳化硅G2.0平台进行了深度定向优化。通过对器件寄生电容的精细化设计，以及封装层面的强化散热方案，该平台成功将开关损耗降低约30%，并在动态可靠性方面实现显著增强，使电源转换效率与系统功率密度同步提升，能够更好地满足服务器电源（SST）、高压直流供电（HVDC）等AI数据中心关键电源架构需求。
技术突破正加速转化为市场成果。2024年，芯联集成SiC MOSFET相关收入已超过10亿元，并预计在2025年实现50%以上的持续增长。随着AI数据中心建设节奏不断加快，公司在该领域的业务有望迎来更高增速，其碳化硅G2.0技术平台在核心参数与综合性能上，已实现对国际主流先进厂商的全面对标。
从8英寸碳化硅先进制程的攻克，到器件与工艺的双重优化；从新能源汽车电驱系统，到AI数据中心电源基础设施，芯联集成正以其在宽禁带半导体制造领域的持续突破，为人工智能产业的高效、绿色与可持续发展构建坚实的底层能力和可靠的供应链支撑。
2026 IC风云榜“年度AI技术突破奖”旨在表彰2025年度在人工智能基础理论、核心算法或关键应用领域取得重大原始创新，技术达到国际先进/领先水平，对推动我国人工智能技术自主创新和产业发展具有重大意义的企业或科研机构。
芯联集成此次荣获“年度AI技术突破奖”，不仅体现了其在碳化硅制造技术上的领先实力，也彰显了中国半导体制造企业在AI基础设施关键环节加速迈向自主与国际先进水平的产业趋势。
IC风云榜聚焦新时代环境下中国集成电路产业最具经营智慧的风云企业，根据市场、学研、资方、品牌等多维度可靠数据，秉持客观真实、公正公开、范围广泛的原则，通过公开征集、自愿申报、专家评选等程序，严格遴选出行业年度优秀人物、机构、企业与品牌，以此树立行业标杆，展现行业格局，激发企业创新潜能，厚植产业创新沃土。IC风云榜以开放的国际视野和科学的评选维度，为半导体企业创新赋能，深受企业与市场的认可与青睐，已成为中国IC产业的风向标奖项。展望未来，IC风云榜还将继续发挥风向标作用，为中国半导体产业的高质量发展提供强有力的支持和推动。
（校对/赵月）
