近日，我国首台自主研制的串列型高能氢离子注入机（POWER-750H）在中国原子能科学研究院成功出束，其核心性能指标已达到国际先进水平。这一突破标志着我国已全面掌握该型设备的全链路研发技术，成功攻克功率半导体制造链上的一个关键环节，为高端制造装备自主可控与产业链安全提供了坚实保障。
离子注入机与光刻机、刻蚀机、薄膜沉积设备并称芯片制造的“四大核心装备”，是半导体量产过程中不可或缺的关键设备。本次高能氢离子注入机的成功研制，是核技术与半导体产业深度融合的标志性成果，将显著增强我国在功率半导体等关键领域的自主保障能力，并为推动能源转型、助力“双碳”目标及加快形成新质生产力提供重要的技术支撑。
过去，我国高能氢离子注入机完全依赖进口，因其研发难度大、技术壁垒高，长期成为制约我国相关产业升级的瓶颈。中国原子能科学研究院依托在核物理加速器领域数十年的技术积淀，以串列加速器技术为核心，成功攻克了一系列技术难题，实现了从底层原理到整机集成的完全正向设计，彻底打破了国外在该领域长期的技术封锁与市场垄断。
