美国存储大厂美光受惠AI驱动存储缺货涨价潮，上季财报与本季展望优于市场预期，本季毛利率预估冲破八成，创半导体制造业惊人记录，甚至比英伟达与台积电还高，CEO梅罗塔高喊存储持续供不应求，将扩大本年度与明年度资本支出扩产。
美光3月18日举行财报会议，宣布截至8月底止的本年度资本支出将逾250亿美元，明年度资本支出更将“大幅提高”，制造设备与厂房兴建相关成本将增加逾百亿美元。
法人指出，美光持续看旺后市，中国台湾南亚科、华邦、威刚、十铨、宜鼎、群联等存储相关厂商也将沾光，惟美光大手笔扩产，也让市场忧心后续新产能开出后，是否影响存储“景气超级周期”走势。
受相关疑虑影响，加上股价已先行创高，美光公布财报后，3月18日盘后股价由红翻黑，下跌近4%，19日早盘一度重挫6%。台湾存储相关族群则走势不同调，威刚、十铨、宜鼎等逆势收红；华邦、南亚科跌逾4%。
美光结算，上季营收239亿美元，季增75％，年增196％。其中，占该公司近八成业绩的DRAM相关营收年增2.07倍，储存型快闪存储（NAND Flash）业绩则年增1.69倍。
美光上季获利更是惊人，Non-GAAP毛利率高达74.9％；净利140.2亿美元，季增1.55倍，年增6.86倍；净利率达59％，稀释每股纯益12.2美元。美光表示，上季DRAM平均销售单价季增约65％，NAND芯片平均销售单价则季增约78％。
美光CEO梅罗塔指出，上季表现超乎预期，“营收、毛利率、每股纯益及自由现金流全都创新高”。
更令市场惊艳的是，美光估本季营收将达335亿美元，超越该公司2024会计年度以前的全年业绩，毛利率展望达约81％，毛利率预估甚至比英伟达、台积电都高。梅罗塔预期，本季营收、毛利率及自由现金流也将创纪录，AI与传统服务器正面临“缺乏充足的DRAM和NAND芯片供应”。
美光透露，业绩与展望之所以能大幅提升，主要是AI驱动存储需求增长、结构性供应限制，以及公司在各方面强大执行力所共同促成的结果。该公司并透露，签署了第一份长达五年的供货合约协议。
数据中心用的HBM方面，美光指出，HBM4产品产能爬坡与量产出货持续推进，预期将比HBM3E更快达到够成熟的良率。为英伟达Vera Rubin平台生产的HBM4将在今年6月至8月间量产，下一代HBM4E开发顺利，估计明年开始量产。
