随着AI数据中心快速扩张，功率半导体需求持续增长。除传统应用外，碳化硅（SiC）正逐步渗透至电源供应单元、电池备份单元及新兴的固态变压器等领域。Yole Group最新市场数据显示，到2026年，AI相关SiC应用市场规模有望达到数亿美元，复合年增长率强劲。
尽管如此，AI相关应用规模仍小于汽车（尤其是电驱逆变器）、工业及能源等核心SiC市场。Yole预计，这些主力应用将推动全球SiC市场在2026年突破46亿美元。值得关注的是，整体市场前景较2024—2025年已明显回暖，此前头部器件厂商普遍受到全球汽车需求放缓的冲击。
从全球看，多家国际SiC器件厂商面临挑战。2025年，受需求不及预期及价格持续下跌影响，多家头部供应商增长乏力。中国市场则呈现出截然不同的态势，为本土SiC生态提供了良好的发展土壤。
以中国领先的SiC器件厂商芯联集成为例，该公司2025年实现约50%的同比增长，跻身全球前五（并列），市场份额约5%。这一成绩得益于多重战略布局：与多家本土汽车主机厂深度合作；2025年启动200mm SiC器件前端制造；持续加大功率模块封装后端产能投入。若聚焦SiC功率模块领域，芯联集成排名可升至全球第四，彰显其在模块端的强劲实力。此外，多家中国器件厂商也在加速扩产，为未来增长蓄力。
在SiC材料环节，中国厂商同样表现突出。过去数年间，中国SiC衬底供应商在产能与技术层面快速追赶，紧密对接客户向更大尺寸晶圆转型的需求。截至2026年，天科合达、天岳先进均已跻身全球SiC衬底供应商前三甲。其中，天科合达在200mm SiC衬底出货量上领先，助力国际头部厂商向200mm平台过渡；天岳先进则建成最大综合产能，以6英寸等效计算，总出货量居首。中国厂商的迅速崛起，正在重塑动态演变的SiC供应链格局。
SiC功率生态的演进，仅是化合物半导体行业整体转型的一个缩影。功率氮化镓（Power GaN）在汽车与数据中心领域的创新与增长持续加速；受光通信与数据通信需求驱动，磷化铟（InP）领域也在积极布局，该平台正向150mm衬底迈进。
