3月28日， IEEE薄膜晶体管历史与未来国际研讨会（IEEE EDS Mini-Colloquium on The History and Future of Thin-Film Transistors）在厦门大学翔安校区成功举行。本次研讨会由 IEEE电子器件学会北京分会主办，厦门大学电子科学与技术学院、集成电路学院、国家集成电路产教融合创新平台、福建省半导体照明工程技术研究中心、福建省LED照明与显示行业技术开发基地等单位联合承办。
研讨会由中国科学院微电子研究所李蒙蒙教授担任主席，学院吴挺竹教授担任共同主席。开幕环节，吴挺竹教授代表承办方致欢迎辞，向与会专家学者致以诚挚问候。李蒙蒙教授主持开幕式，介绍会议概况与演讲嘉宾，并缅怀半导体领域先驱、厦门大学萨支唐教授，随后宣布研讨会正式启动。
吴挺竹教授致辞
李蒙蒙教授主持开幕式
学术报告环节，多位国内外专家学者围绕薄膜晶体管前沿技术作专题报告。来自山东大学、英国剑桥大学的Arokia Nathan教授以“Device–Circuit Co-Design of TFTs for Advanced Signal Processing”为题，重点介绍了用于先进信号处理的TFT器件电路设计。来自英国萨里大学的Sporea Radu Alexandru教授以“Key Considerations for Obtaining High Performance Contact-Controlled Thin-Film Transistors”为题，系统阐述了高性能接触控制型TFT的设计要点。来自西班牙罗维拉-威尔吉利大学的Benjamin Angel Iñiguez Nicolau教授以“Modeling of Flicker Noise in Organic Thin Film Transistors”为题，深入分析了有机TFT闪烁噪声的建模方法及其物理机理。香港科技大学王文教授在“Metal-Oxide Thin-Film Transistors: Physics, Technologies and Applications”报告中，全面介绍了金属氧化物TFT的物理机制、制备技术及应用进展。上海交通大学郭小军教授则以“Thin-film Transistor and Integration for More-than-Moore”为题，分享了面向“超越摩尔”发展的薄膜晶体管器件及其集成技术的最新研究成果。各位专家分别就各自的研究领域发表了精彩的演讲，并与现场听众进行了深入交流与讨论，令与会者受益匪浅。会议最后，学院副院长李澄教授进行会议总结。
国内外专家作专题报告与会议总结
会后，与会的各位专家与听众合影留念。
