三星3nm以下制程扩张计划进展顺利，其2nm GAA良率预计达到60%，这让这家韩国晶圆代工厂信心十足，得以在其美国泰勒工厂进行下一代光刻技术的试生产。该工厂最初是为4nm晶圆制造而建，此前有报道称，三星已将其海外工厂改造为2nm制程中心，使其在与台积电的竞争中占据优势。当前，台积电限制其最先进2nm技术进入美国市场。
据报道，三星泰勒工厂的部分区域已获得临时占用许可证（TCO），允许专业工程师进驻现场并加快生产运营。此前有报道称，测试生产于3月启动，届时有超过7000名员工驻守现场，助力公司实现计划。据悉，为大规模生产2nm GAA晶圆提供先进EUV光刻机的荷兰制造商ASML也已派出团队协助三星工人进行设备部署。
假设试生产成功，泰勒工厂将于2026年开始运营，预计将于2027年全面投产。三星计划将泰勒工厂升级至2nm GAA工艺，该工艺在技术改进方面远胜于传统的4nm光刻技术。三星也利用这项技术生产Exynos 2600处理器。目前，三星的2nm GAA工艺在美国拥有众多客户，其中特斯拉是其最主要的客户。
此外，三星还获得了来自美国无晶圆厂公司和云服务提供商的芯片订单，进一步巩固了其在美国市场的地位。由于台积电的3nm产能受到严重限制，其无法满足市场需求，这使得三星成为众多客户的替代方案。三星计划通过专注于提高良率来降低晶圆成本，并或在不久的将来通过向客户提供折扣价进一步增强与台积电的竞争。
