据创新浑南消息，近日，沈阳拓荆高端半导体设备产业化基地项目建设进入主体收尾关键阶段，正全力冲刺机电安装节点。该项目总投资20亿元，总建筑面积15.6万平方米，涵盖研发中心与洁净厂房两大核心功能区，是国家关键半导体装备国产化标杆工程。
按照计划，该项目将于7月中旬实现所有结构全面封顶，年底前完成幕墙封闭，为明年室内精装修及园林景观施工奠定基础，2027年年底实现全部竣工交付。
作为芯片制造核心关键装备研发生产载体，该项目建成投产后将聚焦全球领先的薄膜沉积设备研发与产业化，全力补齐国产半导体装备产能短板，大幅提升我国高端芯片制造设备自主供给能力，为半导体产业链供应链自主可控注入强劲动力。
据悉，产能升级方面，该项目运营后，沈阳地区产能将提升至当前四倍，全面支撑PECVD、SACVD、HDPCVD等高端薄膜产品产业化落地，推动企业业务规模持续增长。
