据报道，三星电子首席技术官兼半导体研究所所长于6月30日在DS（器件解决方案）部门内部经营说明会上表示，HBM4E的可靠性测试良率已提升至70%以上。
业界通常将80%以上视为工艺稳定的"成熟良率"门槛，而HBM4E目前仍处于可靠性测试阶段，70%以上的水平被认为标志着开发进程正式进入稳定区间。与此同时，他在同一场合透露，下一代10纳米级第七代DRAM工艺（D1d）在技术竞争力上已取得对竞争对手的优势，并计划于今年11月完成生产准备认证（PRA）。
据悉，高盛已将三星2027年HBM价格年增率预测，由此前的14%大幅上修至44%。该行认为，传统DRAM现货价格的强劲表现，可能会被市场纳入明年HBM定价谈判的参考依据。高盛同时指出，目前这一上修后的预测仍可能未充分反映上行风险，意味着44%的涨幅预估“可能还不是终点”。在HBM供需持续偏紧、传统DRAM与HBM价差继续扩大的情况下，后续价格预测仍存在进一步上调空间。
