台积电:2nm工艺已开始贡献营收,美国建厂成本高达4至5倍

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台积电财务长黄仁昭近日接受采访时表示,为应对持续旺盛的市场需求,公司正加快优化先进制程产能。2nm工艺已从第二季度开始贡献营收,并有望在第三季度成为新的营收增长动力。

黄仁昭指出,AI芯片需求预计将保持多年强劲增长,这也是台积电继续扩大投资的重要原因。公司此前宣布追加1000亿美元投资亚利桑那州厂区,使当地总投资规模增至2650亿美元。

“我们将继续投资。”黄仁昭表示,台积电看到了结构性、长期且强劲的市场需求,并感谢美国政府提供的支持。他强调,公司将积极把握市场机会,不会为竞争对手留下空间。

面对先进制程需求持续增长,台积电正在进一步调整产能配置,包括将部分5nm产能快速转换为更先进的3nm产能,以满足客户需求。

谈及亚利桑那州厂区进展,黄仁昭表示对目前情况“非常满意”。其中,采用4nm工艺的第一座晶圆厂已经投入运营,其良率与台积电中国台湾旗舰晶圆厂处于相同水平。

目前,亚利桑那州第二座晶圆厂即将开始设备进驻,第三座晶圆厂仍在建设中。与此同时,台积电也在筹备第四座晶圆厂以及当地首座先进封装设施。

按照规划,台积电未来在亚利桑那州的业务版图将包括12座晶圆厂和先进封装设施,并建设一座研发中心。

黄仁昭坦言,美国晶圆厂的建设成本约为中国台湾的4至5倍。随着海外产能逐步扩大,初期可能对公司毛利率形成一定稀释,但从长期来看,这些投资将有助于推动美国半导体生态系统进一步发展。

此外,台积电在当地扩建过程中仍面临建筑工人短缺等问题。黄仁昭表示,公司将与当地政府保持密切合作,共同推动相关问题得到解决。

责编: 李梅
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