近日，中欣晶圆实现技术突破，顺利拉制出企业首根12英寸重掺砷、重掺硼〈111〉晶棒。本次产出包含N型重掺砷、P型重掺硼两类产品，目标电阻率达到mΩ・cm级低阻区间，能够匹配高端功率器件外延衬底对于低电阻、高均匀性指标要求，进一步完善国产12英寸高端重掺硅片产品体系。
相较于市场主流的〈100〉、〈110〉晶向硅片，〈111〉晶向材料电学性能优势突出，适配高端功率半导体与AI相关芯片应用场景。但受晶体生长规律影响，该晶向长晶存在明显技术壁垒，容易产生管道缺陷、电阻率分布失衡、位错与孪晶等问题，热场设计、掺杂控制难度更高，工艺窗口狭窄。行业普遍采用CZ直拉法生产该类晶棒，重掺杂工况下还面临元素挥发、晶格畸变等多重难题。
产业现状显示，当前〈111〉晶向硅片量产集中于8英寸及以下尺寸，12英寸相关产品仍以研发为主，海外厂商尚未建成规模化量产产线。国内产业呈现6英寸技术成熟、8英寸持续追赶、12英寸刚刚起步的格局，12英寸车规级高可靠〈111〉硅片仍存在供给短板。
下游需求持续推动相关技术攻关，高端功率器件、AI芯片迭代催生12英寸重掺〈111〉硅片定制需求。该材料有助于改善功率器件导通损耗与开关性能，在IGBT、硅基外延等方向具备重要应用价值，细分市场供需缺口逐步显现。中欣晶圆针对市场需求设立专项项目，完成两款晶棒研发攻关。
本次工艺突破攻克了大尺寸重掺〈111〉晶棒多项工艺难题，推进高端半导体硅材料国产化进程。后续产品仍需持续开展工艺优化与下游客户认证工作。
（校对/李正操）
