1. 【IC博览会分析师大会】S&P Global高级分析师张馨园：研判全球车载电子与半导体供应链新格局
2. 中一签最高浮盈超21万！国产半导体涂层龙头超纯应材首日暴涨640%
3. 投资5亿元，江丰同芯无锡惠山覆铜陶瓷基板项目投产
4. High-NA EUV之争：英特尔与台积电走向两种先进制程路线
5. 工研拓芯完成亿元A轮融资，系高速光通信电芯片公司
6. 恒芯半导体完成数千万元Pre-A轮融资
1. 【IC博览会分析师大会】S&P Global高级分析师张馨园：研判全球车载电子与半导体供应链新格局
当下全球半导体产业正处于深度变革的关键周期，地缘政治博弈加剧、全球供应链格局重构，叠加软件定义汽车浪潮与AI算力产能冲突交织，行业机遇与挑战并存。整车电子电气架构迭代、全球区域车企转型节奏分化、存储与晶圆产能供给波动，持续重塑车载半导体供需结构。在此背景下，覆盖全球市场、深耕中国本土赛道的权威车载半导体供应链研判，成为车企、车规芯片厂商、投资机构突破发展瓶颈、抢抓时代红利的核心密钥。
9月9日-10日，2026国际集成电路创新博览会（IICIE）将在深圳国际会展中心（宝安）盛大启幕，以“跨界融合・全链协同，共筑特色芯生态”为主题，构建覆盖集成电路全产业链的高端交流平台。作为本次博览会策划的系列特色论坛活动之一，全球半导体分析师大会将以“2026-2030导航半导体新纪元 -重塑产业驱动力，从零和博弈走向协同创新”为主题，集结全球顶尖分析师与行业专家，立足2025-2030年全球半导体市场演变，以全球化视角解读产业核心热点，为业界同仁、投资机构及企业高层提供兼具前瞻性与实操性的战略指引。
我们荣幸邀请到标普全球汽车（S&P Global Mobility，7月1日起更名为Mobility Global，独立上市汽车领域专业机构）供应链与技术高级分析师张馨园出席本次全球半导体分析师大会，并发表演讲。演讲主题为《汽车行业变革：电子与半导体供应链格局变迁》，将围绕软件定义汽车重塑芯片需求、国产车载芯片崛起、AI 算力挤压汽车芯片产能、全球车企 SDV 转型差异化路径四大核心维度展开深度剖析，带来覆盖中美欧三大汽车市场、兼顾全球总量与中国本土产业的一手数据与落地性产业预判。
张馨园所属的S&P Global Mobility（Mobility Global）是全球汽车行业专业研究机构，长期深耕整车市场、车载电子电气架构、车规半导体全链条研究，为全球主流车企、一级零部件厂商、半导体企业、投资机构提供销量预测、零部件供需、供应链竞争格局、技术路线研判等标准化咨询服务。
张馨园是标普全球汽车E/E与半导体赛道高级分析师。在本次专题分享中，张馨园将依托标普全球长期跟踪的全球整车产销、车载芯片出货数据库，围绕四大核心议题展开系统解读：
一是软件定义汽车（SDV）重塑芯片需求结构：集中式E/E架构、全域OTA升级推高高性能算力芯片、存储、电源管理芯片需求，评估SDV带来的汽车半导体需求净增量；二是中国车载芯片产业崛起：分析本土车规半导体厂商市场份额提升路径，解读国产芯片在动力、座舱、自动驾驶领域的替代空间与发展瓶颈；三是跨赛道产能冲突风险预警：预判2026年起AI数据中心需求挤压DRAM内存、先进制程SoC晶圆供给，高端智能车型与成熟制程BCD模拟芯片承压，解析车企受冲击程度；四是全球三大区域车企转型分化格局：美国底特律车企放缓E/E架构升级节奏、中国加速电动化与SDV落地、欧洲同步推进软件整车与多元能源战略。
目前，分析师大会早鸟票正式开售，火热报名中！原价首日票400元/人、次日票650元/人、双日套票950元/人；早鸟特惠首日票300元/人、次日票500元/人、双日套票仅需700元/人，立省250元。早鸟票售票截止时间至8月31日，现场购票不享受折扣特惠。
这是一场洞悉半导体未来格局的顶级行业盛会，也是链接全球产业资源、对接顶尖专家的绝佳契机。9月9日-11日，深圳国际会展中心（宝安），与张馨园及全球半导体行业精英齐聚一堂，打破产业博弈壁垒，探索协同创新新路径，共启半导体全新纪元！
2. 中一签最高浮盈超21万！国产半导体涂层龙头超纯应材首日暴涨640%
8月11日，超纯应材正式登陆深交所创业板。开盘即大涨超580%，截至发稿涨幅已扩大至640.72%，股价报488.5元/股，总市值达到498亿元。
这家发行价65.99元/股的公司，是A股今年以来发行价第六高的新股。按盘中最高价489.97元计算，中一签（500股）账面浮盈最高可达约21.2万元。
超纯应材来自成都双流，是一家国家级专精特新重点"小巨人"企业，专注做一件事——特殊涂层。
在芯片制造过程中，刻蚀设备的零部件需要承受等离子轰击、腐蚀性气体侵蚀，如果没有保护涂层，核心部件很快就会失效。超纯应材做的就是给这些精密零部件"穿上铠甲"，通过材料改性、精密表面加工和特殊涂层工艺，延长设备寿命、保障芯片良率。
公司产品覆盖晶圆制造、封装及硅片制造领域的设备核心零部件，是国内极少数能够供应5nm及以下制程半导体刻蚀设备核心零部件的本土厂商。
全球半导体设备特殊涂层零部件市场长期由KoMiCo、TOTO、TOCALO等欧美日企业主导。根据弗若斯特沙利文数据，超纯应材2024年在中国大陆半导体设备特殊涂层零部件本土企业中市场份额排名第一，占有率达5.7%。
客户方面，公司已打入北方华创、中微公司、新凯来、鲁汶仪器等国产半导体设备龙头的供应链；在晶圆厂端，中芯国际、长江存储等头部企业均为其稳定客户。产品还已送样至英特尔、德州仪器等国际巨头，用于LAM、TEL、AMAT等设备的零部件替换。
业绩数据直观反映了公司的成长速度。2023年至2025年，超纯应材营业收入从1.69亿元增长至4.96亿元，净利润从0.65亿元增至1.85亿元，复合增长率超过70%。
2026年上半年，公司预计营业收入同比增长30.86%至40.56%，净利润同比增长67.81%至80.16%。
产能利用率已接近极限——2023年至2025年分别为97.29%、99.39%、99.99%。本次上市募投项目将重点投向产能扩张，投产后预计每年新增2万片量检测及光刻设备零部件、1.75万片刻蚀设备零部件产能。
目前国内半导体设备零部件整体国产化率仍处较低水平，2024年仅为7.1%左右。随着本土晶圆厂持续扩产、设备国产化进程加速，特殊涂层零部件的国产替代空间正在快速打开。
超纯应材的上市首日表现，正是市场对这一逻辑的集中投票。不过公司也在招股书中提醒，其对前五大客户的销售收入占比接近90%，客户集中度较高，若主要客户需求减少，将对经营业绩产生不利影响。
3. 投资5亿元，江丰同芯无锡惠山覆铜陶瓷基板项目投产
近日，在无锡惠山区前洲街道智能制造园，江丰同芯无锡惠山工厂覆铜陶瓷基板项目正式投产。该项目总投资5亿元，年产720万片先进封装覆铜陶瓷基板，将实现对第三代半导体用覆铜陶瓷基板的国产替代。
据悉，3个月前，首片“无锡基地”覆铜陶瓷基板下线。如今，这座“造芯基地”已进入全面投产阶段，达产后将实现年产720万片半导体芯片载板能力，年销售规模8亿—10亿元。
江丰同芯成立于2022年4月，是一家集功率半导体陶瓷覆铜基板（AMB、DBC）研发、制造、销售于一体的先进制造企业。江丰同芯是国内半导体关键材料领域突破关键技术的核心代表企业，已搭建起具备世界先进水平、自主化设计的第三代半导体功率器件模组核心材料制造生产线，全面掌握DBC及AMB两大核心生产工艺，主打高端覆铜陶瓷基板产品，彰显出较强的技术研发与规模化生产实力。
项目投产后，江丰同芯覆铜陶瓷基板产能将有效填补国内市场空白，逐步打破海外垄断，同时助力无锡当地半导体产业链完善升级。
4. High-NA EUV之争：英特尔与台积电走向两种先进制程路线
随着芯片制程不断逼近物理极限，先进制造竞争正在从单纯的“节点竞赛”，转向晶体管架构、光刻技术、先进封装以及制造生态的综合竞争。
过去几年，全球半导体产业围绕3nm、2nm展开竞争，晶体管结构创新、背面供电技术以及设计技术协同优化成为推动芯片性能提升的重要方向。但在晶圆制造环节，光刻技术依然是支撑芯片持续微缩的关键。
作为全球唯一EUV光刻机供应商，ASML正在推动下一代高数值孔径极紫外光刻技术（High-NA EUV）发展。High-NA EUV是在现有EUV技术基础上的升级，目前主流EUV设备采用0.33数值孔径（NA），而High-NA EUV则将NA提升至0.55，可进一步提高光刻分辨率。据报道，High-NA EUV相比传统EUV可实现约1.7倍分辨率提升，并有望减少部分关键层的多重曝光需求。
不过，High-NA EUV目前正处于从研发验证迈向商业化量产导入的关键阶段。面对这一下一代制造技术，英特尔与台积电选择了不同路径：英特尔希望通过提前布局High-NA EUV重新建立先进制程优势；台积电则继续优化现有EUV体系，通过晶体管架构创新、工艺优化以及成熟量产能力维持竞争力。
两家公司不同选择背后，并非简单的技术路线之争，而是先进制造企业在技术演进与商业化效率之间做出的不同选择。
英特尔押注High-NA EUV，希望重新建立制造优势
在High-NA EUV布局方面，英特尔是目前全球最积极的芯片制造企业之一。
根据英特尔官方资料，英特尔已成为ASML商业High-NA EUV系统的首批用户，并部署了TWINSCAN EXE:5000设备。2026年，英特尔进一步实现了High-NA EUV在量产环节的应用，成为首家采用High-NA EUV技术生产高性能逻辑芯片的企业。
ASML表示，Intel Foundry已在部分Intel 18A（1.8nm）产品层采用High-NA EUV技术进行高量产制造验证，其中Panther Lake处理器部分关键层已经完成High-NA EUV与传统EUV平台双重认证，并实现向客户出货。
这一进展意味着，High-NA EUV已经不再停留于实验验证阶段，而是开始进入先进制程实际制造流程。不过，目前英特尔并非在所有Intel 18A层全面采用High-NA EUV，而是根据制造收益选择性导入。
对于英特尔而言，High-NA EUV的重要意义不仅在于提升光刻能力，更关系到其重返先进制造竞争的战略目标。
过去多年，英特尔长期保持着全球先进制造领先地位，但由于在10nm、7nm节点推进过程中遭遇挑战，其制程优势逐渐被台积电赶超。随着AI、高性能计算等市场快速增长，先进晶圆代工的重要性进一步提升，英特尔开始通过Intel Foundry战略重新布局制造业务。
其中，Intel 18A被视为公司重返先进制程竞争的重要节点。Intel 18A采用RibbonFET全环绕栅极晶体管（GAA）架构，并引入PowerVia背面供电技术，希望通过晶体管结构和供电方式创新提升性能和能效。目前，基于Intel 18A打造的Panther Lake客户端处理器已经进入量产推进阶段，面向数据中心市场的Xeon 6+（Clearwater Forest）也采用Intel 18A制造。对于英特尔而言，Intel 18A承担的是“重新证明制造能力”的任务，而下一代Intel 14A（1.4nm）则承担进一步建立技术领先的目标。
英特尔预计将在Intel 14A节点进一步扩大High-NA EUV应用范围，希望利用下一代光刻技术降低关键层制造复杂度，并提升先进节点竞争力，Intel 14A目前仍处于研发、客户验证以及产能规划阶段。英特尔也更加谨慎地推进Intel 14A投资，希望根据客户需求决定后续产能扩张节奏。
因此，从英特尔路线来看，其战略路径已经逐渐清晰：Intel 18A负责证明Intel Foundry具备先进制程量产能力，Intel 14A则希望借助High-NA EUV进一步挑战下一代先进制造。
台积电为何选择继续优化现有EUV？
与英特尔积极推进High-NA EUV不同，台积电选择了一条更加注重技术成熟度和制造经济性的路径。不过，这并不意味着台积电放缓推进先进制程，而是希望通过晶体管架构创新、工艺优化以及设计技术协同等方式，延续现有技术体系的竞争力。
目前，台积电正在推进N2（2nm）制程量产，并采用纳米片晶体管（Nanosheet）架构，这是其继FinFET之后的重要晶体管结构升级。同时，台积电后续A16（1.6nm）节点还将引入背面供电技术，通过优化供电效率以及设计协同进一步提升芯片性能。
这些技术路线表明，先进制程性能提升并不完全依赖光刻分辨率的提升。通过晶体管结构、电源架构以及设计技术优化，晶圆厂同样能够实现性能和芯片密度的提升。
因此，在A16以及后续先进节点中，台积电并未急于将High-NA EUV投入大规模量产，而是继续挖掘现有0.33 NA EUV平台的潜力。具体来看，台积电正在通过掩模版优化、光刻胶改进、Overlay控制、计算光刻、工艺优化以及设计技术协同优化等方式，提高现有EUV体系的制造效率。
除了技术路径选择，经济性也是台积电评估High-NA EUV的重要因素。
High-NA EUV设备成本明显高于传统EUV，同时需要新的材料、检测以及制造生态支持。此外，High-NA EUV采用非等倍投影光学设计，使曝光视野约缩小至传统EUV的一半。对于GPU、AI加速器等大型芯片而言，曝光面积缩小可能增加制造复杂度，甚至需要通过图形拼接方式完成制造。与此同时，High-NA EUV在景深控制、光刻胶性能、掩模版制造、检测测量以及良率提升等方面，也仍需要进一步成熟。
2026年第二季度法人说明会上，台积电董事长兼CEO魏哲家进一步回应了High-NA EUV导入计划。魏哲家表示，High-NA EUV设备具备较好的技术性能，但是否用于大规模生产，不能只看技术表现，还需要综合评估设备成本、技术成熟度，以及曝光视野缩小后对制造流程的影响。
他表示，台积电目前仍与ASML保持合作，推动High-NA EUV设备成本下降以及技术成熟度改善，最终将根据成本效益决定导入时间。
对于台积电而言，关键问题并不是能否获得High-NA EUV设备，而是该技术能否带来足够明显的制造收益。作为全球最大的晶圆代工企业，台积电服务苹果、英伟达、AMD等众多客户。先进制程不仅需要技术领先，更需要在大规模量产中实现良率、成本和交付能力的平衡。
因此，在现阶段，如果N2、A16等节点结合GAA晶体管、背面供电以及Low-NA EUV优化，仍能够满足客户需求，那么台积电延后导入High-NA EUV可能是更符合其商业逻辑的选择。
High-NA EUV时代，产业链将迎来哪些变化？
High-NA EUV的发展，首先将推动先进光刻设备产业升级。
目前，ASML是全球唯一EUV光刻设备供应商，也是High-NA EUV技术的主要推动者。随着英特尔、台积电等先进制造企业持续布局，ASML在先进制程设备领域的重要性仍将进一步提升。
与此同时，High-NA EUV也将推动相关配套产业升级。
由于制造精度进一步提高，掩模版、光刻胶、检测设备以及测量设备等环节都需要同步发展。未来先进制造竞争，不仅是晶圆厂之间的竞争，也将是整个供应链体系能力的竞争。
此外，EUV技术的应用范围也正在从先进逻辑芯片向存储领域延伸。
过去，EUV主要应用于先进逻辑制造，包括台积电、三星、英特尔等企业。随着DRAM持续微缩，存储厂商同样开始关注先进光刻技术。
目前，三星、SK海力士已经在先进存储制造中推进EUV相关应用。同时，南亚科新厂规划布局先进DRAM制造，并规划采用EUV光刻设备；华邦电未来先进制程规划中，也涉及EUV技术导入。
这意味着，EUV竞争正在从逻辑芯片制造进一步扩展至存储领域。随着AI服务器、高性能计算需求持续增长，高端DRAM以及HBM等产品对于先进制造能力的需求也将不断提升。
结语：High-NA EUV不是终点，而是先进制造新阶段的起点
High-NA EUV代表的不只是一次光刻设备升级，更体现了先进制造竞争逻辑的变化：英特尔希望通过提前布局下一代光刻技术，在先进制程竞争中寻找新的突破口；台积电则依靠成熟制造体系、晶体管创新以及工艺优化，延续自身领先优势。
未来先进制程竞争，或许不会由单一技术决定胜负，而是取决于企业能否在技术突破与商业化效率之间找到最佳平衡。
对于全球芯片制造企业而言，真正的竞争并不是谁最早采用某一项技术，而是谁能够将技术优势转化为稳定、高效且具备商业价值的制造能力。
参考资料：
https://semiwiki.com/semiconductor-manufacturers/tsmc/371838-intel-and-tsmc-take-different-paths-to-high-na-euv/
https://www.globenewswire.com/news-release/2026/07/15/3327453/0/en/high-na-euv-reaches-new-readiness-milestone-with-first-high-volume-logic-product.html
https://www.reuters.com/business/intel-turns-next-generation-asml-tool-help-make-its-laptop-chips-2026-07-15/?utm_source=chatgpt.com
5. 工研拓芯完成亿元A轮融资，系高速光通信电芯片公司
近日，工研拓芯（苏州）集成电路有限公司（以下简称“工研拓芯”）宣布完成亿元A轮融资。本轮由策源资本、洛阳科创集团、华天电子集团、农银国际联合投资。资金将主要用于100G/200G Driver/TIA套片的规模量产，并持续投入下一代LPO/LRO/NPO及先进光电封装技术研发。
公开资料显示，工研拓芯成立于2023年4月，入驻苏州国际科技园（SISPARK），专注于高速光通信电芯片领域。公司100G/200G Driver/TIA套片已进入规模量产及客户导入阶段，并在NVIDIA Quantum-2 QM9700交换平台上完成系统级实测，整机功耗较同类竞品方案低约1.5W。公司产品同步覆盖DSP-based、LPO和LRO等多架构，可为不同应用场景提供灵活适配的解决方案，并已启动下一代400G电芯片、薄膜铌酸锂调制器硅光异质集成及光电共封装（CPO）等预研，技术布局向800G、1.6T及3.2T演进。
商业化层面，工研拓芯已累计出货数千万颗芯片，进入多家知名企业供应链。本轮融资将加速100G/200G套片量产交付，并持续强化在高速光通信核心芯片领域的系统级竞争力。
6. 恒芯半导体完成数千万元Pre-A轮融资
近日，合肥恒芯半导体科技有限公司（以下简称“恒芯半导体”）宣布完成数千万元Pre-A轮融资。本轮由云泽资本、翌昕投资、三花智控旗下弘道基金联合投资。资金将重点用于臭氧产品的规模化交付、远程等离子体源（RPS）样机验证与量产准备，以及射频电源产品线的团队组建与研发投入。
公开资料显示，恒芯半导体成立于2024年12月，总部位于合肥经济技术开发区，专注于半导体前道制造核心零部件的自主研发与制造，产品线覆盖半导体级臭氧发生器及系统、远程等离子体源、射频电源等，应用于CVD与ALD氧化、晶圆与腔室在线清洗、刻蚀及薄膜沉积等环节。核心团队来自国际头部等离子体及反应气体零部件厂商，覆盖研发、工艺、供应链、生产制造全链条，创始人袁立强拥有约15年半导体行业经验。公司依托自主研发的核心放电单元与电控系统，掌握从放电单元、腔体到整机系统的底层技术，臭氧发生器、远程等离子体源与射频电源共享功率电子与变换、等离子体物理、反应腔与气体流场设计等同源技术底座，具备向平台型企业演进的能力。
目前，公司臭氧产品已通过国内头部存储晶圆厂商及半导体设备厂商验证并实现批量交付，覆盖薄膜沉积与清洗两类设备，同步推进主要逻辑晶圆厂的导入；远程等离子体源已进入样机交付阶段。恒芯半导体创始人表示，核心零部件竞争最终取决于产品的一致性、可靠性与长期稳定供应能力，公司将加快多产品线的客户验证与量产落地，为国内设备厂与晶圆厂提供性能对标国际一线、供应稳定可靠的核心零部件。
