8月20日，深圳平湖实验室对外宣布在氮化镓领域取得重大进展，推出全球首个8英寸碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）增强型HEMT工艺平台。该平台依托实验室科研与中试一体化能力，已完成多项关键技术攻关，全方位验证了8英寸GaN-on-SiC技术的产业化可行性。
碳化硅基氮化镓材料兼具氮化镓高频高效的优势与碳化硅衬底导热快、晶格匹配度高的特性，可大幅提升散热性能与运行可靠性。平台在外延生长环节攻克了碳化硅衬底表面处理及GaN外延生长等核心技术，将8英寸晶圆翘曲度控制在20微米以内。在工艺环节突破了GaN-on-SiC无金工艺，涵盖p-GaN刻蚀、外延层表面钝化及欧姆接触等关键制程，有效降低了制造成本并提升了芯片良率。
该工艺平台瞄准算力中心、航空航天、太空算力、人形机器人等高端应用领域的高效供电需求。作为国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台及广东省化合物功率半导体中试平台的实体运营单位，深圳平湖实验室已建成全球首个集科研与中试于一体的8英寸第三代功率半导体开放共享平台。
深圳平湖实验室位于深圳市龙岗区罗山科技园，占地面积130亩，拥有国际国内各类先进设备380余台套，100级洁净间面积9500平方米。实验室已具备月产2000片晶圆的能力，服务超过50家客户、20个中小试项目，并完成了124台国产化装备、74类国产化材料的验证。
（校对/黄仁贵）
