韩国央行最新报告指出，随着三星电子与SK海力士加速扩建国内生产设施，韩国在存储芯片领域相对中国的领先优势，未来恐进一步拉大。在这项判断出炉之际，市场研究机构Counterpoint Research也公布最新数据，显示中国内存厂长鑫存储（CXMT）已在今年第二季首度拿下全球DRAM营收10%的市占，正式跨过双位数门槛。
根据报告，CXMT的DRAM市占较一年前增加6个百分点，从2023年时不到1%的水准快速攀升，去年第二季为4%，今年第一季进一步升至8%，如今再突破10%。业界普遍认为，这代表中国半导体存储布局已开始显现成果，也意味着全球DRAM市场长期由三星、SK海力士与美光主导的格局，正面临更明显的变化。
Counterpoint数据显示，第二季三星电子以38%居全球DRAM营收龙头，SK 海力士为25%，美光为24%，CXMT则以10%紧追在后。CXMT的快速扩张，也让三星、SK海力士与美光合计掌握的市占率降至87%。
在产能布局方面，CXMT目前月产能约30万片晶圆，并持续扩产。市场预期，到2028年其月产能可提升至55万至60万片。面对中国厂商加速追赶，三星与SK海力士也同步加码投资，韩国央行认为，这将进一步支撑韩国在存储芯片供应链中的地位。
