9月20日，长鑫存储在世界制造业大会上宣布第五代DRAM技术平台（G5平台）实现量产。据了解，该平台的工艺水平已可比肩行业顶尖量产工艺节点。
依托四重曝光技术，G5平台可把内存阵列的有源区半间距微缩至11.95纳米，接近全球最顶尖的内存量产平台制程。通过变革工艺流程、采用新材料，存储电容深宽比达45:1。开发适配DRAM工艺的高介电常数金属栅（HKMG）工艺，成功将G5平台核心功能区高度缩小到6762纳米。此外，G5微缩工艺还可以有效提高存储芯片的密度，每片晶圆产出裸片数量较第四代平台提升至少50%。
此次大会上，长鑫存储还同步展出了两款基于G5平台打造的LPDDR5X量产产品，单颗容量均为24Gb，较上一代同类型产品提升50%。
