11月1日，光迅科技高端光电子及硅光芯片器件产业化项目（一期）开工仪式在光迅科技高端光电子产业基地举行。该项目由武汉光迅科技股份有限公司组织实施，建设地点位于武汉东湖综合保税区高端光电器件产业基地，总投资102亿元。
从建设内容看，项目总用地面积约3.5万平方米，规划总建筑面积16.63万平方米，将建设两栋高等级洁净厂房、一栋智能化仓储物流中心、一栋高能效厂务动力站房、一栋员工中心及其他附属设施，员工宿舍等生活配套同步建设。项目将持续导入世界级先进工艺和自动化装备，全面提升高端光电子及硅光芯片器件的研发与规模制造能力。建成后，该产业基地总建筑面积将达到近37万平方米。
产品布局上，项目规划覆盖800G至12.8T高速光模块/光引擎、320×320端口光线路交换（OCS）、32维波长选择开关（WSS）等新一代全光通信及光互连产品，满产年产能达千万只级别。建设工期14个月，计划2027年底完成竣工验收，并同步推进设备安装调试和产能释放。项目将围绕下一代可插拔光模块、CPO/NPO光引擎、全光交换等前沿方向开展攻关，打通“开发—验证—量产”全链条。
光迅科技董事长黄宣泽在致辞中表示，公司因光而生、伴光成长，五十年来研制出国内第一支长波长半导体激光器、国内第一台掺铒光纤放大器，发布全球首款6.4T NPO光模块。研发及生产场地从最初的2000平方米扩展到30多万平方米，营业收入从几十万元站上百亿元台阶。
