厦门士兰集科微扩产项目节能报告获批 年产30万片IGBT功率器件

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5月26日,厦门工信局公布《关于厦门士兰集科微电子有限公司新增年产30万片IGBT功率器件芯片扩产项目节能报告的审查意见》。

审查意见显示,该项目建设单位为厦门士兰集科微电子有限公司,拟于2024年12月投入使用。建设将利用现有12英寸厂房FAB1,在厂房二层和三层预留区域新增生产设备。其中,二层为工艺技术下夹层,三层预留区域主要布置光刻(LITHO)、刻蚀(ETCH)、湿法刻蚀(WET)、扩散(DIFF)、薄膜(TFD/TFM)、离子注入(IMP)等。共计使用建筑面积17748.48m2,工艺面积计4000m2。项目建成后可年产30万片12英寸IGBT功率器件芯片。

审查意见指出,结合专家评审意见,原则同意该项目节能报告。

天眼查显示,厦门士兰集科微电子有限公司成立于2018年,股东包括厦门半导体投资集团有限公司、杭州士兰微电子股份有限公司、国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司等,经营范围包括集成电路制造、半导体分立器件制造、电子元件及组件制造等。(校对/姜羽桐)

责编: 姜羽桐
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