华虹宏力“半导体结构及其形成方法”专利获授权

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天眼查显示,上海华虹宏力半导体制造有限公司“半导体结构及其形成方法”专利获授权,授权公告日为11月17日,授权公告号为CN113921595B。

图片来源:天眼查

专利摘要显示,一种半导体结构及其形成方法,其中,半导体结构包括:掺杂第一离子的衬底;位于衬底内的深沟结构;位于衬底和深沟结构顶部的阻挡掺杂区;位于阻挡掺杂区上的第一外延层;位于第一外延层内的体区,至少部分体区还位于所述深沟结构上方;位于体区内的源区,且所述体区暴露出源区的部分表面;位于第一外延层内的栅极结构,所述栅极结构还位于与深沟结构相邻的衬底上方,且所述栅极结构与所述体区、以及所述源区暴露的部分表面接触;位于所述衬底底部的集电区,所述第二面暴露出集电区表面,且所述集电区与所述深沟结构的底部之间被所述衬底间隔。通过所述半导体结构,提升了绝缘栅双极型晶体管的性能。(校对/刘沁宇)

责编: 刘沁宇
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