华科大“3DNORFLASH芯片”相关专利公布

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天眼查显示,华中科技大学“提高老化3DNORFLASH芯片擦写速度的方法及系统”专利公布,申请公布日为6月9日,申请公布号为CN116246981A。

图源:天眼查

专利摘要显示,本发明提供了一种提高老化3D NOR FLASH芯片擦写速度的方法及系统,属于信息存储器领域,方法包括:当待测3D NOR FLASH芯片目标扇区处于正常工作状态时,根据预设程序对目标扇区循环依次进行写入、读取和擦除操作,每隔若干次循环次数,记录目标扇区当前写入和擦除的时长;基于目标扇区当前写入和擦除的时长,若判断待测3D NOR FLASH芯片的工作状态已达到老化阈值,则控制加热时长和温度,对待测3D NOR FLASH芯片进行加热操作,提升待测3D NOR FLASH芯片读写擦速度。

据悉,本发明解决了芯片老化后,擦写速度退化下降导致工作效率变低的问题。(校对/刘沁宇)

责编: 刘沁宇
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