武汉新芯“半导体测试结构及半导体测试方法”专利公布

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天眼查显示,武汉新芯集成电路制造有限公司“半导体测试结构及半导体测试方法”专利公布,申请公布日为2024年3月26日,申请公布号为CN117766517A。

本发明提供一种半导体测试结构及半导体测试方法,半导体测试结构包括:衬底、栅氧层和栅极层;浅沟槽隔离结构,所述浅沟槽隔离结构所包围的所述衬底为有源区,所述栅氧层和所述栅极层自下向上形成于部分所述有源区上,所述有源区的面积与所述栅极层的面积之比大于2。本发明的技术方案使得对栅氧层的寿命推测的更加准确。


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