本周以来，工信部发文进一步推进制造业中试平台建设；黄仁勋称不确定中国是否会接受英伟达H200芯片；2026年IEEE Fellow名单公布；52亿元立琻半导体项目签约落户重庆；消息称寒武纪计划将2026年AI芯片产量翻至三倍；英诺赛科在与英飞凌的337诉讼中再次取得战略性胜利……
热点风向
11月11日，工业和信息化部办公厅发布《关于进一步加快制造业中试平台体系化布局和高水平建设的通知》，按照“做强一批、激活一批、补齐一批”的推进思路，突出公共服务性质和功能，明确建设路径，系统化推动中试平台建设发展。
其中，明确提出，聚焦人工智能、人形机器人、量子科技、清洁低碳氢、生物医药、工业母机、仪器仪表以及重大技术装备、新材料、信息技术等关系未来发展、关乎产业安全、中试供给紧缺的关键行业领域，各地工业和信息化主管部门结合特色优势选择补齐领域，依托产学研用等主体布局建设中试平台。同等条件下，工业和信息化部优先支持补齐领域中试平台纳入部重点培育中试平台管理。
12月3日，英伟达首席执行官黄仁勋在与美国总统特朗普会面后表示，如果美国放松对H200处理器的销售限制，他不确定中国是否会接受该公司的H200人工智能芯片。
黄仁勋在美国国会大厦表示，他和特朗普讨论了出口管制问题，但拒绝透露具体细节。此前，特朗普政府官员曾讨论是否允许H200在中国销售。当被问及中国政府是否会允许中国公司购买H200时，黄仁勋表示不确定。“我们不知道，毫无头绪，”黄仁勋在前往美国参议院银行委员会闭门会议的途中说道，“我们不能降低卖给中国的芯片的性能，他们不会接受的。”
2025年11月14日，重庆市经济和信息化委员会发布了《重庆市加快推进人工智能终端产业创新蝶变行动计划（2026—2030年）》。该行动计划旨在深入实施“人工智能+”行动，以人工智能推进智能终端产业实现创新蝶变，加快培育发展新质生产力。
该行动计划多次提及“芯片”，例如推动智算服务器搭载高性能GPU、NPU芯片，构建异构计算架构；开展AI芯片、新型显示、RISC-V（开源指令集架构）、高性能末端执行器、直线电驱动关节、一体化关节、新型传感器、轻量化材料、先进制造工艺等核心技术攻关等。
近日，美国电子电气工程师学会（Institute of Electrical and Electronic Engineers，IEEE）发布了2026年度新晋IEEE Fellow名单，全球共347位在工程技术及相关领域做出杰出贡献的学者专家获此殊荣。其中，来自中国内地及港澳地区高校、科研机构与企业界的科学家70多人上榜，入选人数再创新高。中国科学院微电子研究所叶甜春、清华大学吴华强、同济大学童美松等多名多位集成电路领域学者当选。
IEEE是全球电子、电气、计算机、通信、自动化等领域最具权威与影响力的国际性学术组织。IEEE Fellow为该学会最高会员荣誉，每年由同行专家经过严格评审选出，旨在表彰在相关领域取得重大科研突破、引领技术发展或做出非凡工程贡献的杰出人士。当选者均为全球科技界的顶尖精英，其当选率不足会员总数的千分之一。
项目动态
11月25日，由工业和信息化部、重庆市人民政府共同主办的“2025中国产业转移发展对接活动（重庆）”举行。本次活动总签约项目159个，合同金额达1178亿元，现场签约项目62个，投资金额637亿元。
其中，九龙坡区与立琻半导体进行签约，计划投资52亿元，在重庆枢纽港产业园九龙新城布局“车规光电模组及新型显示器件制造项目”，该项目的签约将精准补位新型显示产业短板，布局九龙坡区首个新型显示器件生产基地。
11月28日，熙泰科技全球IC研发中心及显示模组扩产、终端产品OEM项目签约仪式在眉山天府新区举行。该项目是熙泰科技在眉山模组一期项目基础上的又一战略投入，计划总投资16亿元。建设内容包括IC研发及测试中心、显示模组扩产项目、终端产品OEM产线。全部建成达产后，年产能可达1300万块微显示模组和300万台XR整机。
近日，海门经济技术开发区年产60万平方米先进封装基板用高性能积层膜智能工厂建设项目迈出了关键一步，主体结构顺利封顶。该项目建成后，将拥有2条涂覆生产线，具备年产60万平方米先进封装基板用高性能积层膜的能力。
早在2024年3月，南亚新材高端电子电路基材基地项目在海门开发区签约落户，标志着其“上海研发+海门制造”的产业协同模式进入实质性推进阶段。国家级海门经济技术开发区当时消息显示，高端电子电路基材基地项目一期总投资12亿元，主要建设高端IC载板材料产业化项目和高端覆铜板产业化项目。
企业动态
12月4日晚间，寒武纪发布声明称：公司关注到今日媒体及网络传播的关于公司产品、客户、供应及产能预测等相关信息，均为误导市场的不实信息。在此，公司提醒广大投资者，公司相关事项均以公开披露信息为准，请各位投资者提高信息辨别能力，不传播、不采信来源不明或未经核实的虚假信息。此外，对于任何捏造、散布传播不实信息的行为，公司将保留追究相关人员法律责任的权利。
今日早些时候，据报道透露称，寒武纪计划在2026年将其AI芯片产量提升到目前的三倍，以争夺在中国市场的份额，并填补英伟达被迫退出后留下的市场空白。
美国东部时间2025年12月2日，针对英飞凌向英诺赛科发起的337调查案件，美国国际贸易委员会（ITC）发布裁判结果：在涉案的两项专利中，ITC裁定英诺赛科当前产品设计均完全不侵权。本次裁决是英诺赛科对抗英飞凌系列专利案的又一场重大胜利。
2024年7月，英飞凌通过4项专利向美国ITC提出英诺赛科专利侵权指控，但随后案件审理过程中，英飞凌主动撤回了其中两项涉案专利的全部指控。此次ITC对剩余两项涉案专利亦不侵权的判决结果是英诺赛科在专利大战中取得的又一次关键性胜利，将为氮化镓产业的全球化发展扫清障碍。
12月4日，浙江星曜半导体有限公司宣布完成C轮过亿元融资。本轮融资由温创投基金与恒远煜基金共同投资。本轮融资资金将主要用于深化射频前端产品线的技术研发、扩大生产规模以提升交付能力，并进一步加强市场拓展与生态合作，旨在为全球客户提供更优质、更全面的射频前端解决方案。今年5月，星曜半导体刚宣布完成B轮融资。此次融资是星曜半导体在年度内再次获得投资支持。
星曜半导体成立于2020年（前身为浙江信唐智芯科技有限公司），专注于射频滤波器芯片和射频前端模组芯片研发、生产与销售，其总部位于温州，在温州、天津、上海、成都、深圳等地设有晶圆制造基地、封测基地、研发或销售中心。
南京奕泰微电子技术有限公司近日宣布完成数千万A2轮融资。博将资本罗雨馨表示，奕泰微是中国高性能以太网通信芯片的领军企业，在工控领域批量出货之际，车载通信领域公司依然凭实力入局，打破国际垄断，填补国内千兆级产品的空白，是博将一如既往会坚定支持、长期陪伴的行业领域Top One优质企业。
