拓展存储领域,中微半导推出首款非易失性存储芯片

来源:爱集微 #中微半导#
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1月19日,中微半导发布自愿性公告,宣布即将推出首款非易失性存储器芯片,标志着公司正式进军Flash领域。

本次推出的新产品型号为CMS25Q40A,是一款4M bit容量的低功耗SPI NOR Flash芯片。其存储阵列划分为2048个可编程页,每页容量256字节,单次编程操作最多可写入256字节数据。该芯片支持多种擦除方式,包括1KB扇区擦除、4KB扇区擦除、32KB块擦除、64KB块擦除及整片擦除,具备低成本、低功耗、SPI高速读写、掉电不丢失等核心特点。

在性能参数方面,该芯片采用1.65V至3.6V单电源供电,全系列采用小型封装以节省空间;支持标准串行外设接口(SPI),兼容双路/四路输出模式及双路/四路输入输出(I/O)SPI模式,最高SPI时钟频率可达120MHz;配备保持引脚、写保护引脚及可编程写保护功能,可灵活控制存储阵列不同区域的写保护状态;同时具备安全特性,包含1024字节安全存储器、一次性可编程锁定功能及内置64位唯一序列号,Page编程时间为1.25ms。

应用场景上,该产品适配小存储需求场景,涵盖嵌入式MCU程序存储、小型智能硬件配置存储、低功耗IoT终端存储以及外设/模块配套存储等领域。

据介绍,本次CMS25Q40A产品的发布,是中微半导实施“MCU+”战略的最新成果,成功填补了公司在Flash领域的产品空白,标志着公司正式向存储领域迈出实质性一步。这一举措彰显了公司核心技术创新与产品开发能力的拓展,为后续拓展Flash产品容量谱系、推进Flash产品系列化奠定了坚实基础。

同时,新产品的推出进一步丰富了公司的产品矩阵与产品形态,拓宽了应用场景范围,增强了公司在智能控制解决方案上的一站式整体解决能力,有助于巩固和提升公司综合竞争力,为开拓存储新市场、挖掘业务增长极提供有力支撑。

责编: 邓文标
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