芯迈半导体正式发布其第二代80V SGT MOSFET产品线。该系列产品在关键性能指标上不仅全面超越第一代产品，更达到国际一线品牌同等水平，为中国功率半导体产业实现"弯道超车"提供了有力支撑。
技术背景与市场机遇
2008年，屏蔽栅技术（SGT）商业化以来，SGT MOSFET凭借其极低的导通电阻、优异的开关特性以及较低的制造成本，在工业驱动、电源管理、汽车电子等领域获得广泛应用。据市场研究数据显示，到2030年全球SGT MOSFET市场规模预计将达到33.15亿美元。
随着AI算力爆发式增长、汽车电气化加速推进以及可再生能源快速发展，80V耐压SGT MOSFET因其在48V总线系统中的卓越表现，正成为功率半导体领域增长最快的细分市场。特别是在AI服务器48V架构、电动汽车48V总线系统以及光储系统电源拓扑等新兴应用中，80V SGT MOSFET的需求呈现井喷式增长。
图1：80V SGT MOSFET应用领域
技术突破与产品优势
2025年，芯迈半导体基于第一代80V耐压SGT MOSFET的成熟设计经验，依托自主可控的工艺平台，成功研发出第二代80V耐压SGT MOSFET器件。第二代产品在导通电阻、开关损耗等关键性能指标上实现显著突破，能效比提升超20%，为高频电源应用场景带来更优解决方案。
图2：芯迈半导体80V第二代工艺平台特点
芯迈80V第二代SGT热销产品
SDH08N1P4CF-BA是一款80V第二代SGT MOSFET产品，专为AI服务器48V架构中的PSU同步整流和DC-DC转换应用而优化设计。相较于第一代产品，该器件在关键性能参数上实现了显著提升，其技术指标与国际主流厂商的新一代竞品相比也极具竞争力。
注：FOM值和RSP值以归一化数值形式对比
表1. 芯迈新品参数与国际大厂最新世代对比
各项FOM值均明显占优
图3：芯迈新品与国际大厂最新世代对比
效率明显占优
在服务器电源、通讯模块电源、车载电源及光伏逆变器等新兴市场领域，提升功率密度已成为行业研发的核心方向，探索并验证更高频率的电源拓扑结构。为满足不同电源市场对高频应用的需求，芯迈半导体凭借先进的80V第二代SGT工艺，推出了一系列高性能产品。这些产品在转换效率、散热性能及系统可靠性方面均表现出色，能够有效助力客户应对技术挑战，实现更优的电源解决方案。
注：FOM值和RSP值以归一化数值形式对比
表2. 芯迈新品参数与国际大厂最新世代对比
各项FOM值均明显占优
注：Qrr在电流变化率100A/μs条件下测试
表3.80V耐压第二代SGT MOSFET选型列表
目前，芯迈基于80V第二代SGT工艺的新产品正在通过AEC-Q101车规级可靠性认证测试。预计2026年内，公司将推出更多符合汽车电子标准的高性能产品，全面覆盖车载电源、启停电池BMS（电池管理系统）及车身域控制器等关键应用场景，助力汽车电子系统向更高效率、更高可靠性迈进。
