世界先进（5347） 28日宣布，已与台积电（2330）签署高压（650V）与低压（80V）氮化镓（GaN）制程技术授权协议，将加速开发新一代GaN电源元件，应用锁定资料中心、车用电子、工业控制与能源管理等高效率电能转换领域。
世界先进表示，透过此次授权，公司将把矽基底功率氮化镓（GaN-on-Si）制程扩展至高压应用，并提供完整GaN-on-Si平台，同时结合既有的新基底功率氮化镓（GaN-on-QST）制程平台，形成更完整的GaN制程布局。公司强调，借由同时提供矽基底功率与新基底功率两种不同基板的氮化镓制程晶圆制造服务，可支援从低压（小于200V）、高压（650V）到超高压（1200V）的完整解决方案，强化在高效率电能转换领域的竞争力。
针对时程规划，世界先进指出，本次授权将打造可与既有平台无缝接轨的GaN制程，并在公司成熟的8英寸晶圆生产平台上进行验证，以确保制程稳定性与高良率；相关开发作业预计2026年初启动，目标2028年上半年量产。
世界先进总经理尉济时表示，此次技术授权展现世界先进与台积电持续交流合作成果，也象征公司推动完整氮化镓产品解决方案、强化化合物半导体策略布局的决心，未来将加速协助客户满足高效能电能转换需求，推动电源半导体技术迈向新世代。
