力积电（6770）今日举行法说会，经营阶段公布去年第4季财报中，也正式道出出售铜锣厂原因：设备折旧包袱沉重。 售厂给美光后，换来后毛利提升及纳入美光后段高频宽记忆体（HBM）合作名单。
力积电今日法说会由总经理朱宪国主持并公布去年第4季财报。力积电去年第4季营收受惠DRAM平均销售单价上扬及美元升值，达到125亿元，毛利率顺利转正为6%，但扣除铜锣厂，则为17%，这也说明铜锣厂产能利用率低及增列折旧摊提 ，是拖累营运的元凶。力积电去年单季仍亏损6.5亿元，但前去年第3季亏损27.3亿元，亏损明显收敛。
朱宪国表示，记忆体市场供需由于结构性的失衡，客户在去年受到市场供给短缺的氛围下投片积极，预期供给缺口仍会持续到2026年下半年，晶圆代工价格持续向上。
朱宪国并说明包括DRAM，尤其DDR3及DDR4 DRAM，因高端AI伺服器占据记忆体大厂高端DRAM产能，排挤了应用在PC、手机以及消费性电子装置的中低端DRAM产能，进一步推升了包含DDR3及DDR4等利基型DRAM产品的市场价格。
SLC NAND同样也因韩系大厂淡出使SLC NAND 的合约价与现货价因供给减少而出现明显上涨。
逻辑代工部分则因将铜锣厂售予美光后压缩总产能，自1月起调涨12吋代工价格；8吋厂部分AI伺服器与边缘运算带动功率元件需求如MOSFET客户需求不减反增，二月起产能已无法完全满足客户需求。再加上公司考虑将部份竹南厂8吋无尘室改装为12吋先进封装机台所用，8吋总产能可能因此限缩而导致产能吃紧，公司8吋晶圆代工价格计划自3月起开始调升。未来GaN及矽电容会是另一波成长动能。
至于法人关注出售铜锣厂给美光后，公司将秉持不裁员、不中断营运的目标的原则，陆续转回新竹厂区。美光已预付HBM后段晶圆制造（PWF）产能，将力积电正式纳入其先进封装供应链，与力积电建立长期的代工伙伴关系。美光也将协助力积电精进利基型DRAM代工制程技术。透过与世界级记忆体大厂的合作，公司将得以优化自身财务结构、营运体质及技术蓝图。不过公司不透露详细合约细节。并强调与塔塔电子的海外建厂合作案目前进展顺利，并不会因为铜锣厂售予美光有任何影响。
朱宪国表示，现阶段技术服务费已累计入帐达1.43亿美元且无任何延迟。除建厂合作外，双方也已就进一步共同开发印度半导体逻辑代工市场展开合作。
