1月29日晚间，IC设计企业晶相光召开新闻发布会并发布重大讯息，宣布其重要晶圆代工合作伙伴力积电已正式通知，因内部产能配置策略调整，自2026年第二季度起，将停止为晶相光部分主要产品提供接单生产服务。晶相光表示，已立即着手评估并积极寻求其他晶圆代工厂商作为替代产能来源。
晶相光在公告中指出，力积电此次订单策略的调整源于其自身的产能规划变动。公司强调，目前已掌握的供应产能仍能支持现阶段运营需求，并有信心达成2026年度既定销售目标。
根据披露，力积电是晶相光最主要的晶圆供应商之一，在最近一个年度采购金额中的占比高达58%。在接到正式通知后，晶相光已迅速启动应急机制，以最大限度降低此事对运营可能产生的冲击。
面对供应链结构的突然变化，晶相光表示已全面采取多项应对措施，包括与现有及潜在的代工伙伴进行紧密磋商，加速推进既有产品的制程转移与重新认证工作，并同步审视和调整中长期技术发展路线。公司承诺，将以确保产品品质、交付稳定及客户权益为最高原则，审慎评估此次调整对整体运营的全面影响。
DRAM需求强劲驱动产能转向
此次合作调整的背后，是全球记忆体市场景气的快速复苏。继此前与美光签署合作意向书后，力积电于日前发布新闻稿称，为回应下游存储IC设计客户对更高容量、更快速度DRAM产品的强劲需求，并把握市场供不应求带来的机遇，公司已决定启动DRAM制程精进计划。
据了解，力积电位于新竹的12英寸晶圆厂区目前拥有每月约五万片的存储芯片产能，主要为客户提供基于2x纳米制程的DRAM与Flash代工服务。受全球AI应用爆发推动，DRAM市场呈现长期供不应求趋势，客户需求压力持续增大，力积电因此决定启动新投资以提升存储相关制程能力。
力积电表示，为争取时效，公司董事会已通过相关增资案。待其与美光关于铜锣厂的合作合约在第二季度正式签订，并经股东大会通过后，将依据经营团队规划尽快启动设备采购，将P3厂现有月产能超过三万片的DRAM生产线进行技术升级。
根据双方意向书，除长期为美光提供DRAM后段先进封装代工服务外，美光也将协助力积电推进P3厂的DRAM制程技术。此项技术提升计划的快速执行，将有助于力积电DRAM代工制程稳步向前推进，不仅能协助海内外存储芯片设计厂商开发更高规格产品，也将增强其在晶圆堆叠（WOW）等先进封装代工服务领域的竞争力，以更好地满足终端客户在AI应用领域的需求。
