据报道，三星将停止其位于韩国华城工厂12号生产线的2D NAND闪存生产，该生产线将被改造为末端晶圆厂，用于生产1C DRAM。
该生产线的产能为每月8万至10万片12英寸晶圆。消息人士称，三星去年已通知一位客户将停止2D NAND闪存的生产。这标志着三星正式停止2D NAND闪存的生产，12号生产线改造为DRAM终端生产线预计将提高华城工厂整体DRAM生产效率。
三星早在2002年就率先在全球范围内生产了1Gb NAND闪存。此举使三星一跃成为全球最大的闪存制造商。2013年，三星成功实现了3D V-NAND的生产，标志着NAND闪存从垂直堆叠技术转型。12号生产线的改造距离三星开始生产2D NAND已有24年，距离开始生产3D NAND也有13年之久。
在第四季度财报电话会议上，三星表示计划将传统工艺升级为先进工艺，其中包括停止生产平面NAND闪存。
同时，三星正在加大投入，以提高其华城和平泽工厂的1c DRAM产能。平泽工厂的P4生产线最初设计用于DRAM、NAND闪存和晶圆代工，但现在正在进行改造，专注于DRAM生产。
华城工厂的其他DRAM生产线也在进行改造，以生产1c DRAM。这意味着1c DRAM的产量预计将占三星DRAM总产能的很大一部分。（校对/张杰）
