8月13日，聚灿光电（300708）全资子公司聚灿光电科技（宿迁）有限公司“一种用于光通信领域的Micro LED外延结构”专利进入国家知识产权局审中公布阶段。该专利申请日期为6月22日。
据悉，该外延结构从nGaN层、有源层、EBL层三个维度协同优化，瞄准AI算力光互连对快速与节能的底层需求。聚灿光电现阶段聚焦上游光互连Micro LED芯片底层技术攻关。
此前，聚灿光电宣布与中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所正式签署合作协议，共建“光互连Micro-LED与空间光伏创新联合实验室”。合作期三年，最长可延长至五年。根据协议，双方将重点攻关光互连芯片、柔性及锗基刚性空间光伏关键技术，并联合申报省级重点实验室。
光互连Micro LED芯片研发瞄准算力设备内部超短距并行光信号传输场景，可作为下一代共封装架构中的核心光源器件。公司方面表示，此次合作旨在推动前沿科研技术与产业化工艺的深度融合，进一步完善公司在Micro LED光互连与空间光伏领域的产业布局。
（校对/李正操）
