1. 我们人力成本是欧洲同行两倍多！大众CEO为裁员10万造势
2. 极星美国高管：不清楚沃尔沃为何能获美国禁令豁免 我们都属于吉利汽车
3. 新国标重塑智能车锁：断电之后，谁来完成那一次关键解锁？
4. 思特威推出首颗高端国产化平台2亿像素超高清手机应用CMOS图像传感器
1. 我们人力成本是欧洲同行两倍多！大众CEO为裁员10万造势
据路透社报道，大众汽车CEO奥博穆8月26日走访了埃姆登和茨维考两座电动车工厂，向员工发表讲话时抛出了一组刺眼的数据，大众的人力成本目前已是欧洲同类工厂的两倍多，工厂成本也明显高于其他工厂。他强调这不是批评，而是“必须正视的现实”。
奥博穆此轮工厂巡访意在为下周9月4日的监事会会议造势，大众正在考虑将裁员规模翻倍至10万人、关闭部分工厂并剥离部分业务，以恢复利润并应对中国竞争对手的冲击。
在埃姆登和茨维考，奥博穆称赞了员工已有的降本努力，但明确表示还不够，“这段旅程还没有结束，因为我们不仅要和自己过去比，还要和欧洲最优秀的工厂比”。
埃姆登和茨维考都被认为是重组计划中将要关闭的工厂，埃姆登位于大众总部所在的下萨克森州，该州明年将举行州选举；茨维考位于东部萨克森州，虽然奥博穆称其降本表现尤为突出，但同样面临2030年后缺乏产品规划的困境。
与这两座工厂处境类似的还有汉诺威露营车工厂和奥迪内卡苏尔姆工厂，四座工厂目前都没有2030年以后的业务规划。
奥斯纳布吕克工厂的汽车生产则最早明年结束，奥博穆透露正与国防工业洽谈合作以保留该工厂，但谈判尚未取得突破。
虽然大众管理层一直强调降本重组的重要性，但工会方面的态度毫不动摇。
大众劳资委员会主席丹妮拉·卡瓦洛表示，裁员和关厂无法解决关税、中国竞争和欧洲需求疲软带来的问题，“对未来的规划必须由许多不同元素组成，不能仅仅围绕工厂、人力成本和裁员”。
劳工代表和下萨克森州在监事会中占据多数席位，向来反对大规模裁员，这意味着奥博穆的重组方案要在9月4日的会议上获得通过并不容易。
奥博穆在讲话中试图安抚员工情绪，承诺即使未来无法确保车辆生产，大众对埃姆登和茨维考的承诺也不会终结，“我们将与合作伙伴、投资者和新的工业方案一起，为工厂的工业前景和就业而战”，并将工厂关闭称为“最后手段”。
2. 极星美国高管：不清楚沃尔沃为何能获美国禁令豁免 我们都属于吉利汽车
据报道，极星美国产品负责人彼得·韦克斯勒近日在一封致全美经销商的信中表示，极星仍在寻求美国商务部对禁令原因的解释。
而在今年6月，美国商务部以网联汽车技术规则为由拒绝了极星的豁免申请，但同样隶属吉利旗下的沃尔沃却在5月顺利获批。
极星对此感到相当意外，据信件内容披露，极星2025年5月向美国商务部工业与安全局提交了申请，此后一年间配合回答了多轮详细问询，还主动提出网络安全审查、审计、数据存储方案调整以及阻止中国关联实体管理车辆数据等措施。
今年1月，商务部官员曾告知极星外部律师，已获得足够信息并准备建议批准；4月，商务部负责工业与安全的副部长杰弗里·凯斯勒更是明确表示，如果沃尔沃获批，极星获得豁免也是合理预期。然而沃尔沃5月通过审批后，极星的申请次月即遭拒绝。
更令极星困惑的是两款车型的技术高度同源，极星3与沃尔沃EX90共享软件架构和大部分硬件，甚至在南卡罗来纳州同一条生产线上制造，但美国官方却对两者做出了截然不同的裁定。
韦克斯勒在信中指出，对两家公司和两款车型的差别对待“有悖于法律”。极星还表示，曾愿意就数据存储位置、访问权限、审计报告要求及独立网络安全评估等事项进行讨论，但所有努力均未改变最终结果。
据悉，这项禁令源于拜登政府时期出台的网联汽车规则，旨在防止中国和俄罗斯等外国对手通过网联车辆获取敏感信息或远程操控车辆系统。
这意味着即使极星3在美国本土生产，其中资背景和技术关联仍使其受到审查。沃尔沃有着同样的吉利背景，却获得了继续在美国销售的许可，商务部至今未公开解释两者的差异何在。
对此，极星已决定不再上诉，2026款车型之后，极星将停止在美国销售新车，经销商可继续出售现有库存。极星承诺继续为现有车主提供保修、维修、零部件和软件更新支持，未来投资重心将转向欧洲等其他市场。
3. 新国标重塑智能车锁：断电之后，谁来完成那一次关键解锁？
一场严重碰撞之后，车辆可能在很短时间内同时遭遇车身变形、线束损伤和低压主电源中断。隐藏式门把手没有正常弹出，电子开门按键失去响应，车内乘员可能已经受伤，车外的救援人员也在争取每一秒钟。
此时，车门能否及时解除锁止，已经不是智能体验问题。
过去几年，类似风险在国内外多起事故中不断进入公众视野。新华社此前梳理指出，一些碰撞、起火事故可能伴随车辆断电，使电动式车门把手失效，增加救援难度和逃生阻碍。曾经代表新能源汽车科技感的隐藏式门把手，也由此暴露出一个更基本的问题：当汽车越来越依赖电子控制，安全设计不能只考虑系统正常工作的时候。
规则很快开始回应这种变化。
2026年1月28日，强制性国家标准GB 48001—2026《汽车车门把手安全技术要求》正式发布，并将于2027年1月1日起实施。新国标不仅强化了机械释放要求，也把碰撞触发后的低压辅助供电中断纳入试验场景。对于希望在主电源异常后仍保留电子解锁能力的车型，一套独立于主电源的备用供电，也由过去并不起眼的冗余设计，开始成为值得重新评估的工程方案。
这是一场新能源汽车前沿设计与安全底线重新寻找平衡的过程。
隐藏式、电动式门把手可以继续存在，智能化体验也不会倒退，但失效之后必须留下可靠的逃生和救援路径。机械结构负责最后的兜底，备用电源则可以让车锁ECU在主电源中断后继续获得短时供电，保留电子解锁这一条额外路径。
一个新的BMS应用市场，由此被推到台前。
新国标之后，芯海为什么跑得这么快？
新市场出现，最先值得观察的是谁最早看懂需求，并把产品真正做进去。
从目前能够核验的公开资料来看，芯海科技的动作相当快。
2026年2月28日，也就是新国标发布一个月后，芯海科技已经公开了基于CBM9680的车锁ECU备用电源BMS解决方案，并围绕碰撞后备用供电、高边驱动、长期状态监测和功能安全形成了完整应用设计。
作为国际模拟芯片龙头，TI同样在布局这一场景。其《Design Guide for Automotive Door Crash Power Module》文档标注时间为2026年3月，方案同样围绕碰撞后车门备用能源展开。
公开时间线至少说明了一点。在智能车锁碰撞备用供电这个非常具体的新场景上，芯海并不是等国际巨头定义完市场之后再跟进，而是几乎同步、甚至更早地给出了自己的解决方案。
更重要的是，CBM9680并非纸面上的“概念产品”。
AEC-Q100车规认证
目前，这颗芯片已经通过AEC-Q100车规认证和ISO 26262 ASIL-B功能安全认证。芯海科技向OFweek维科网透露，CBM9680已经有客户导入，并围绕智能车锁完成相应Demo。
ISO 26262 ASIL-B功能安全认证
在汽车芯片这样一个验证周期长、客户更换供应商成本很高的行业里，从发现需求、拿出方案，再走到客户导入，速度本身就说明了一部分问题。问题随之变成了，为什么偏偏是芯海？
一颗9680背后，是二十多年积累找到新的出口
如果只看CBM9680，很容易把这次卡位理解为公司恰好赶上了一个新国标。
但把时间尺度拉长以后，更清晰的逻辑则浮现而出。
芯海科技成立于2003年，最早从高精度ADC切入模拟芯片赛道。此后，公司逐步补上MCU能力，形成“模拟+MCU”双技术平台，并在二十多年的产品迭代中进入BMS、汽车电子等更复杂的应用领域。CBM9680今天所依赖的高精度测量、模拟前端和可靠控制能力，正是这条技术路径持续积累的结果。
而这套能力与BMS的底层需求恰好高度契合。电池管理首先要把细微的电压、电流和温度变化测准，再据此完成充放电控制、故障判断和安全保护。前者考验高精度ADC与模拟前端，后者则涉及MCU、控制逻辑和系统级安全设计。芯海多年形成的“模拟+MCU”能力，因此天然具备向BMS汇聚的技术基础。
这种长期积累也获得了更高层面的技术验证。2025年度国家科学技术奖励中，芯海科技参与完成的“高精度低功耗模拟前端集成电路关键技术与应用”项目获得国家科学技术进步奖二等奖。在模拟芯片设计企业中，能够参与获得这一国家级奖项实属罕见。
这份积累也已经进入商业化阶段。
芯海科技2025年年报显示，公司单节及2—5节BMS产品已经在多个领域的头部客户实现大批量出货，首款符合ASIL-B等级的车规级BMS AFE芯片已经发布，车规级高精度ADC也已在主要客户量产。
CBM9680正建立在这条技术路径之上。
它集成双通道16位ADC，电压检测精度可达±2mV，电流检测精度可达±0.8%；高边N沟道MOSFET驱动、预充P沟道MOSFET驱动和20mA LDO，可以进一步压缩部分外围电路。独立看门狗、过流、短路等硬件保护以及过温等软件保护，则让外部MCU异常后仍然保留一层硬件级安全机制。
这些能力并不是为了堆砌参数。车锁备用电源的重要性，可以用“养兵千日，用兵一时”来形容。它可能几年都不会真正执行一次应急解锁，却必须始终知道电池是否有电、是否已经衰减，主电源中断后还能否及时提供能量。碰撞越严重，正常供电链路被破坏的可能性越高，这套平时沉默的系统也越重要。
从这个角度看，CBM9680的优势并不只是一两项指标领先，而在于芯海把高精度测量、控制、保护、功能安全和应用开发支持，在智能车锁这一场景中组合成了一个完成度较高的答案。
国产BMS真正的机会，可能从“新题”里出现
新国标带来的意义还不止于为芯海科技一家企业带来发展机遇。
过去，国产汽车芯片最难跨越的一道门槛并不是“做不出来”，而是客户敢不敢用。随着车规认证、测试验证体系逐步完善，越来越多国产芯片进入整车和Tier 1的实际项目，过去那种因为缺乏验证记录而形成的选型顾虑，也在被一次次量产和导入慢慢消解。
市场监管总局曾披露，在国产汽车芯片“质量强链”项目推动下，通过认证审查的国产芯片已经累计上车2000万片，产值突破百亿元。官方对过去产业困境的概括很直接，国产汽车芯片曾经存在“不敢用、不会用”的问题，而认证、测试和整车验证体系的完善，正在降低整车企业的选型风险。
对于BMS这样的模拟芯片，这种变化尤其关键。中国已经拥有全球规模最大的新能源汽车和锂电产业生态，电芯、电池包、BMS系统、汽车Tier 1与整车企业之间的本地协同越来越深入。下游客户对经过充分验证的优秀国产芯片，也比过去更愿意给出导入和验证机会。
而新国标又恰好创造了一个新的选型节点。
当国内外车企都需要重新审视碰撞后车门的供电和解锁架构时，新的BOM、新的参考设计和新的供应商评估都会随之出现。《标准化法》明确规定，不符合强制性标准的产品不得生产、销售或进口，因此适用范围内进入中国市场的海外车型，同样需要遵守这套规则。
对于国产芯片来说，最好的机会往往并不是在一个已经完全固化的市场中硬挤掉国际巨头，而是在产业出现新问题的时候，与国际大厂站在同一条起跑线上——甚至敢为人先——解决新问题。
智能车锁备用供电场景，正是此类机会窗口的缩影。
OFweek维科网认为，CBM9680更值得关注的意义也在这里。芯海不是单纯拿出了一颗国产BMS芯片去替代TI，而是在新国标重新定义智能车锁安全边界的时候，依靠此前在高精度模拟、BMS、MCU和车规功能安全上的积累，较早给出了完整方案，并已经开始获得客户验证。
这也许才是国产BMS芯片下一阶段真正值得期待的竞争方式。
不是等别人把路走完之后再寻找替代机会，而是在新的产业规则和新的应用场景出现时，率先地站出来、走进去。
芯海科技 BMS（来源：维科网半导体）
4. 思特威推出首颗高端国产化平台2亿像素超高清手机应用CMOS图像传感器
近日，技术先进的CMOS图像传感器供应商思特威（SmartSens，股票代码688213），宣布推出基于国产化技术平台SmartClarity®‑SL Pro打造的全新高端2 亿像素、0.61μm像素尺寸 超高清手机CMOS图像传感器——SCC85XS 。新品采用22nm Stack 先进工艺制程，搭载思特威SFCPixel®‑SL、PixGain HDR®、AllPix ADAF®以及硬件Hex Crop Remosaic（片上像素重组）等多项核心技术，从而实现超低噪声、低功耗、高感度、高色彩还原 等综合性能优势。此外，新品支持全焦段高帧率高动态范围视频拍摄，可灵活适配于高端旗舰手机的主摄、长焦以及广角等多类型摄像头，为移动端超高清成像提供卓越的CIS选择。
全流程高端国产化平台，打造国产旗舰移动影像标杆
作为思特威首颗基于全流程高端国产化SmartClarity®‑SL Pro平台打造 的0.61μm超小像素手机CMOS图像传感器，SCC85XS实现了从芯片设计、工艺开发到量产落地的全流程国产化，进一步夯实高端手机超高像素CIS供应链自主可控能力，为国产旗舰级手机打造极致超高清影像体验提供全新的选择。
在2亿像素超高清分辨率架构下，SCC85XS支持传感器内2倍（有效像素50MP）及4倍（有效像素12.5MP） 无损变焦。凭借SCC85XS的光学级超高清数码变焦能力，成像画面的细节更完整、画质更纯净。同时，SCC85XS支持全窗口Full-size输出 ，能够完整还原超高分辨率画面，充分释放2亿像素超高清成像能力。
功耗方面，依托22nm Stack先进堆叠工艺与SmartClarity®‑SL Pro技术平台，SCC85XS在长时间高帧率视频录制场景下表现出更低的发热水平，有助于提升拍摄稳定性与整机续航表现。
核心技术全面赋能，成就超高清极致影像体验
作为旗舰级智能手机主摄和长焦应用图像传感器，SCC85XS搭载专利SFCPixel®‑SL、PixGain HDR®及AllPix ADAF®技术，支持硬件Hex Crop Remosaic和Quad Remosaic片上像素重组，结合升级光学结构，SCC85XS在噪声抑制、感度、色彩还原、功耗以及视频高清输出等多项关键性能上实现优异成像能力。
超低噪声，夜景画面更显纯净
依托于思特威先进的SmartClarity®-SL Pro 技术平台及专利SFCPixel®-SL 技术，SCC85XS在噪声抑制上实现了显著优化。在200MP及50MP模式下，其读取噪声仅约0.8e-，较行业同规格产品降低约32% ；12.5MP模式下，其读取噪声可低至1.4e-，较行业同规格产品降低约17%。SCC85XS优异的噪声抑制表现，能够大幅提升夜景画面的成像质感，画面清晰干净、细腻通透。
高感度，还原真实色彩
SCC85XS 搭载思特威专利Narrow BDTI®（NBDTI®） 与升级Low‑n Grid光学架构 ，在小像素设计下实现了色彩还原和感度的双重提升。NBDTI®超窄像素隔离结构可有效降低相邻像素间的光串扰，减少色彩混杂，使成像色彩真实准确。Low‑n Grid光学结构则在抑制光学串扰的基础上，进一步提升光学感度，使SCC85XS峰值量子效率（peak QE）高达80% ，从而显著优化弱光场景成像亮度与清晰度。
硬件Remosaic，兼具画质与效率
SCC85XS集成硬件Hex Crop Remosaic（片上像素重组） 能力，可在ROI 开窗区域（中心裁切12.5MP）内通过硬件电路完成像素阵列重构，直接输出标准RGGB拜耳RAW图像数据。该技术支持4倍（有效像素12.5MP） 变焦下高清视频输出，并显著降低后端图像处理的算力负载，同时SCC85XS硬件集成Quad Remosaic ，可支持2倍（有效像素50MP） 变焦下50MP全尺寸高清视频输出。通过片上像素重组技术，智能手机设备在输出高清图像与视频时，能够在降低延迟的同时释放算力负载，高效适配AI修图、视频预览及后期剪辑等高算力场景，实现超高分辨率成像与整机系统效率的双重优化。
全焦段高清高帧率视频
SCC85XS搭载思特威专利PixGain HDR®技术 ，动态范围可达83dB，并支持普通模式下4K 120fps超高帧率视频以及全焦段4K 60fps HDR高帧率高动态范围视频拍摄，面对逆光人像、高对比度场景或快速移动主体时，SCC85XS可兼顾高光细节保留与暗部层次呈现，避免画面过曝或欠曝，为用户带来专业级全焦段视频拍摄体验，满足专业视频创作需求。
高速闪拍，精准捕捉动态瞬间
SCC85XS搭载思特威AllPix ADAF®及Sparse PDAF®技术 ，在1X和2X焦段下，通过100%全像素对焦和6%部分像素对焦，可满足不同环境光线下的快速对焦与功耗平衡；在4X焦段下开启AllPix ADAF®模式，通过100%全像素对焦实现快速、精准的对焦效果。此外，SCC85XS支持PixGain HDR®+VS闪拍模式 ，帮助终端设备在快速运动场景下抓拍清晰画面，显著提升动态场景下的拍摄成片率。
国产化CIS产品矩阵持续丰富，推动高端影像创新发展
作为面向高端移动影像应用的国产2亿像素旗舰级CMOS图像传感器，SCC85XS有效填补了国产高端超高像素影像CIS的供应空缺，将显著改善超高像素影像芯片长期依赖海外厂商供应的行业现状，为国内智能手机厂商提供高品质的全新国产化选型。SCC85XS作为思特威全流程国产手机CIS产品矩阵的核心拓展，进一步丰富并完善了高端旗舰、中高端智能手机的本土化CIS供应体系，能够充分适配不同机型摄像头模组的多元化、高端化影像应用需求。
SCC85XS将于2026年12月接受送样，并于2027年Q1实现量产，想有关SCC85XS的产品信息，请与思特威销售人员联系。
思特威 CMOS（来源：思特威）
5.三星曝HBM“三阶段”演进：Base Die突破瓶颈、扩充容量，最终迈向zHBM
随着 HBM 面临频宽、功耗与封装尺寸等多重瓶颈，三星积极寻求下一代 HBM 架构的突破。从近期三星在 Hot Chips 2026 揭露的技术蓝图来看，其 HBM 演进方向可分为三个阶段，从释放面积、扩充功能，到最终实现 zHBM 3D 整合。
与 SK 海力士一样，三星目标是朝 3D 堆叠架构发展，即将 HBM 直接堆叠在 AI 加速器上，打造新一代 zHBM 架构。
三星 DRAM 设计团队成员 Sangwook Han 首先回顾 HBM 基本架构，包含 Core Die（核心芯片）和 Base Die（基础芯片），Core Die 主要包含核心电路与 DRAM 存储单元；Base Die 则位于 HBM 堆叠结构的底部，负责处理各项 DRAM 相关功能。目前 Core Die 最多可堆叠至 16 层。
第一阶段：释放 xPU 的芯片面积，进一步扩充芯片功能
三星目前最新聚焦的部分在于客制化 HBM，这也是所谓的第一阶段。据悉，标准 HBM 中的 Base Die，主要包含基本数据与测试路径功能；客制化 HBM 则利用先进逻辑制程，在 Base Die 内整合类似 SoC 的功能，同时共用标准 Core Die 堆叠。
目前三星想把原本放在 AI 芯片 xPU 里面的部分功能，搬到 HBM 的 Base Die 里面（因本身是逻辑芯片），借此释放 xPU 的芯片面积，而省下来的面积可拿去增加 CPU、GPU、NPU 或其他 AI 运算单元，进行扩充。同时，三星 HBM4 已导入 D2D PHY，取代传统 HBM PHY，通过缩短 HBM 与 xPU 之间的数据传输路径，降低介面电路面积与数据传输功耗。
不过，从 HBM4 迈向 HBM5，也出现局部热点（Thermal Hotspots）状况。对此，三星推出 HPB 技术（热传导路径区块，Heat Path Block）来解决此问题，可将峰值温度降低超过 35%，并涵盖 50% 的 PHY 区域。
第二阶段：增加功能，从 Base Die 闲置空间扩充存储容量
到了第二阶段，三星打算进一步扩充 Base Die 的功能，并提出在 Base Die 闲置空间中扩充存储容量。
随着 AI 大模型上下文视窗急剧扩大，KV 缓存需求容量也大幅增加。透过在 Base Die 闲置空间中整合存储扩充控制器与 PHY，可进一步扩充存储容量。
第三阶段：3D 整合，三星推出 zHBM 解方
在第三阶段，就是所谓的“3D 整合”。三星正在开发新 HBM 方案“zHBM”，通过将 HBM 垂直堆叠于 XPU 上方，不仅能进一步节省硅面积，也省去传统 2.5D 封装所需的中介层（Interposer）。
zHBM 方案采用分散式 I/O（Distributed I/O）架构，以缩短 HBM 堆叠内部的数据传输距离；3D 结构也能消除传统 2D 介面，为超低功耗系统提供更高能源效率。之所以功耗降低，主要是来自 I/O 功耗下降，并通过架构最佳化移除 SerDes，避免不必要的功耗累积。
与标准 HBM4E 堆叠相比，三星宣称 zHBM 可带来 70% 能源效率提升、DRAM 频宽增加 230%，每个 DRAM 模组最多可节省 100W 功耗，并能让 XPU（此处以 GPU 为例）额外获得 8.3% 的功耗空间。三星此次展示的方案，是在单一 XPU 上方配置 4 组 zHBM 堆叠。
为实现 zHBM，三星正开发包括 WoW（Wafer on Wafer，晶圆对晶圆）与 HCB（Hybrid Cube Bonding，混合立方键合）在内的先进封装技术，借此实现超高 I/O 密度，进一步打造整合式 SoC-DRAM 架构。
