全球首次采用40nm以下节点，中天弘宇第二代NOR Flash开始流片

集微网消息，近日，国产新型存储器厂商中天弘宇迎来最新进展，在第一代小容量NOR Flash产品规模化量产的基础上，其第二代大容量产品已于近期进入流片阶段，预计将在下（5）月中旬开始首次MPW流片。

供应链消息指出，中天弘宇的第二代产品将采用28nm工艺，单颗粒设计容量达到2Gb以上（目前行业最高单颗粒容量仅为512Mb）。这也意味着，中天弘宇能否利用“二次电子倍增注入浮栅”原理突破NOR Flash工艺限制将在这一代产品中见分晓。

中天弘宇专家曾介绍称，二次电子倍增注入浮栅技术的创新，主要是在传统存储单元的基础上加以纵向电压，在电子撞击侧壁后形成二次电子，二次电子以倍增的速度快速在沟道中穿过，以更高的效率在浮栅上聚集，让NOR Flash达到小面积、低成本、大容量、低功耗的效果。另外，在结构创新上以兼容标准的逻辑制程。

据了解，中天弘宇的第二代产品已先后获得上海和国家级科研重点项目立项支持，这款产品的面世不仅将使中国有望在NOR Flash领域立于潮头，更能使得各类智能化设备、自动化装备拥有另一种全新的存储器解决方案。

根据此前中天弘宇的公开表述，其大容量产品将在各类新兴市场提供低成本、高可靠性的单芯片产品，包括无人机机器人等高端电子设备、以及各类边缘计算的智能设备市场。