台积电美国二厂2026年夏季设备进场,2027年实现3nm量产

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台积电(TSMC)计划于2026年夏季启动其位于美国亚利桑那州第二座芯片工厂的设备安装工作,目标在2027年实现3nm制程量产。

这些设备的安装将标志着这家全球最大的芯片代工制造商在海外先进芯片制造领域迈出了重要一步。多名消息人士透露,设备进场预计集中在明年7月至9月期间完成。

目前的进度安排符合台积电董事长兼首席执行官魏哲家推动将美国芯片生产至少提前“几个季度”的计划。其美国第二座工厂此前计划于2028年投产。

据报道,业内高管透露,芯片工厂的设备安装完毕后,需耗时长达一年完成生产线认证及产能爬坡,而更先进的制程(如3纳米)因涉及超千道工序,工艺转移与验证周期可能进一步延长。

台积电在亚利桑那州的首座尖端芯片厂已投入运营,目前为苹果公司代工部分芯片,并承接英伟达最新Blackwell人工智能芯片订单。该州项目总投资规模达1650亿美元,涵盖五座芯片制造厂、两座先进封装厂及一座研发中心。台积电预计,项目建成后,其约30%的尖端芯片将在美国本土生产。

北凤凰城区域因聚集多家关键供应商,正逐步形成台积电全球最先进的芯片生产集群。

美国市场对台积电的营收贡献率持续攀升。2024年第三季度,美国客户收入占比达76%,主要受人工智能需求激增驱动。台积电前十大尖端制程客户中,英伟达、苹果、AMD、英特尔及谷歌等美国企业占据主导地位。

与美国项目加速形成对比的是,台积电已暂停日本熊本第二座工厂的建设,转而评估未来需求并考虑在该国引入更先进制程。受消费电子、工业及汽车领域成熟制程芯片需求复苏缓慢影响,台积电同步放缓了日本工厂的设备安装及扩张计划。(校对/赵月)

责编: 李梅
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