天眼查显示，上海积塔半导体有限公司近日取得一项名为“半导体测试结构的制备方法”的专利，授权公告号为CN119361581B，授权公告日为2025年10月17日，申请日为2024年10月31日。
本申请涉及一种半导体测试结构的制备方法，包括：提供衬底；于衬底顶面形成沿第一方向间隔分布且沿第二方向延伸的多个掩膜条；至少以多个掩膜条为掩膜版，向初始测试区执行能量相同且剂量不同的离子注入工艺，得到包括两个掺杂区的目标测试结构；根据多个目标测试结构的注入离子剂量、扩散宽度及击穿电压，确定不同目标测试结构的注入离子剂量、扩散宽度及击穿电压之间的第一目标测试关联关系，根据待测目标测试结的实际注入剂量、实际击穿电压，确定待测目标测试结的实际扩散宽度。基于现有工艺流程，无需额外光罩。通过简单有效的目标测试结构，得到监测离子注入实际扩散宽度的目标测试关联关系，进而反映不同剂量条件下注入对器件性能的影响。
