MIGDAL HAEMEK, Israel，2026 年 7 月 14 日 —— 高价值模拟半导体代工龙头企业 Tower Semiconductor (NASDAQ/TASE: TSEM) 今日宣布，在日本政府扶持下，同步推进两条并行路线，对其 300 mm硅光（SiPho）、锗硅（SiGe）及先进封装产线进行战略性扩产。本次扩产旨在支持日益增长的客户需求，大幅提升公司制造产能，巩固自身技术领先地位。
Tower 首席执行官 Russell Ellwanger 表示：“日本政府选定由 Tower 牵头推进这项具备战略意义的技术扩产项目，我们深感荣幸与感激。双方将携手打造全球独具特色的卓越产业中心，依托领先技术、成熟制造能力与稳定优异的产品品质形成核心优势。
自收购原松下半导体制造业务并取得控股权、成立 TPSCo 以来，该业务板块已实现前沿创新技术向规模化量产落地的成熟转化。依托这一基础，叠加日本政府的扶持，我们将建成规模可观、全球领先的硅光、锗硅及高端光学封装研发制造综合中心。
结合 Tower 专属前沿技术优势，以及日本成熟完善的制造经验、高水平科研机构与稳定专业的产业人才队伍，我们将搭建长期战略发展平台，持续推动技术创新、拉动区域经济增长，夯实半导体产业长期竞争力。”
第一条扩产路线将新增大量 300 mm硅光产能，整套产线预计 2027 年第四季度实现全面量产。项目将改造原 6 号晶圆厂 Arai 厂区，用于搭建 300 mm硅光产线与先进封装产线，同时充分释放位于鱼津市 7 号 300 mm晶圆厂的产能。基于第一条扩产路线带来的业务增长预期，Tower 同步更新经营规划，目标 2028 年实现营收 36 亿美元、净利润 12 亿美元。
第二条扩产路线将与第一条同步推进，待相关协议签署完成后，在 7 号晶圆厂相邻地块新建一座 300 mm制造厂区。新厂区建成后，硅光与锗硅产能将实现数倍提升，助力 Tower 承接人工智能、数据中心新兴应用持续激增的客户订单，支撑下一代光学互联技术落地需求。
依托不断拓展的客户合作、多代战略合作伙伴协同达成的多项关键技术突破，新建厂区预计自 2029 年起持续为公司带来收益增量。公司将持续巩固光通信领域行业优势，保障员工长期发展价值，提升客户合作体验，构建具备可持续发展能力的经营模式。
本次双线扩产项目预计Tower总投入约 30 亿美元，日本政府将提供 10 亿美元补助。该笔投资将为 Tower 与日本双方创造长期价值，在本土搭建完善的硅光、锗硅高端制造能力，完善日本半导体产业生态，提升产业链供应链抗风险能力。
Ellwanger 补充道：“我们与富山县、新潟县已建立长期合作关系，同时持续向鱼津、Arai 厂区加大投入。未来我们将进一步深化多方协作，完善区域半导体产业配套，扩充本地产业链供给能力，加快技术创新步伐，培育新一代专业工程与制造人才。本地产业人员具备责任心、自主意识、敬业精神与忠诚度，是产业发展的宝贵力量。
Tower 将持续稳定提供优质就业岗位，做好高端工程、制造人才的引进、培养与留存工作，拓展与本地供应商、企业的合作范围，深化同日本高校及科研机构的联动。通过完善产业与学术配套生态，Tower 将持续推动技术创新，提升区域产业竞争力，助力两县实现可持续发展与长期经济增长。”
Ellwanger 最后总结：“第一条扩产路线将支撑我们达成 2028 年更新后的经营目标。第二条路线直接在现有成熟盈利厂区旁新建产线，无需经历全新厂区从零认证、跨厂区产品转移等多轮工艺磨合周期，规避相关时间与产能波动风险，保障客户产品按计划量产交付与企业现金流稳定，也为公司 2028 年之后的长期增长预留充足发展空间。”
