近日，民德电子披露投资者调研纪要，控股子公司广芯微电子的产能进展、产品结构及市场竞争力成为机构关注焦点。
公司透露，广芯微电子一期规划产能为6英寸硅基功率器件月产10万片，目前处于良性扩产阶段。产出从2025年初的6,000片/月快速提升至2025年底的4万片/月，一年时间内增长近6倍，爬坡速度超出市场预期。
从产品结构来看，已量产的主力产品主要包括MOS场效应二极管（MFER，45V-200V）：最早实现量产的产品，月产出约1.2万片；垂直双扩散MOSFET（VDMOS，60V-2,000V）：月产出约2.6万片，主要集中在900V-1,700V特高压与60-200V高可靠性平面低压产品
除了已量产产品，广芯微电子的新品储备同样丰富。目前已小批量生产的产品包括：瞬态电压抑制二极管（TVS）、高附加值的1,200V特高压SmartMOS，以及与晶睿电子协同开发的多层外延高性能超结（SJ）MOSFET。
值得关注的是，公司的700V高压BCD产品在工程阶段取得重大进展，预计将在2026年释放产能；与芯微泰克合作开发的1,200V背道激光退火超薄片IGBT产品也在进行工程批试样，为后续增长储备动能。
